Vvedenie |
Glava 1. | Razlichnie kontseptsii lazernikh geterostruktur |
| 1.1. | Osnova visokomoschnikh poluprovodnikovikh lazerov |
| 1.2. | Nedostatki pri dostizhenii visokoj moschnosti |
| 1.3. | Rasshirennie moschnie lazeri |
| | 1.3.1. | Lazeri s rasshirennim rezonatorom |
| | 1.3.2. | Slozhnie volnovodnie lazeri |
| | 1.3.3. | Lazer s vitekayuschim volnovodom |
| | 1.3.4. | Visokomoschnie lazeri nakachki s vertikal'nim vivodom |
| | 1.3.5. | Visokomoschnie VCSELs s vvodom toka |
| | 1.3.6. | Visokomoschnie VCSEL kaskadi s nebol'shoj vikhodnoj aperturoj |
Glava 2. | Provedenie teoreticheskikh issledovanij diodnikh lazerov s odnostoronnim vitekayuschim izlucheniem v opticheskom rezonatore |
| 2.1. | Analiz svetoizluchayuschego dioda na osnove geterostruktur s "vitekaniem" |
| 2.2. | Osnovnie sootnosheniya dlya rascheta Vatt-Ampernoj kharakteristiki SID |
| 2.3. | Chislennij raschet i obsuzhdenie rezul'tatov |
| 2.4. | Raschet kharakteristik geterostruktur dlya diodnikh lazerov s vitekayuschim izlucheniem |
| 2.5. | Raschet kharakteristik diodnikh lazerov s odnostoronnim vitekaniem izlucheniya dlya asimmetrichnoj geterostrukturi |
| 2.6. | Issledovanie zavisimostej nachal'noj plotnosti toka cherez diodnij lazer, pri kotoroj voznikaet vitekayuschee izluchenie, ot sostavov i tolschin sloev geterostrukturi |
| 2.7. | Issledovanie v shirokom diapazone plotnostej tokov zavisimostej uglov raskhodimosti vikhodnogo lazernogo izlucheniya ot sostavov i tolschin sloev geterostrukturi |
| 2.8. | Optimizatsiya asimmetrichnoj lazernoj geterostrukturi s odnostoronnim vitekaniem |
| Primechaniya |
Glava 3. | Novie poluprovodnikovie lazeri s vovlechennim v lazernuyu generatsiyu izlucheniem, vitekayuschim iz aktivnoj oblasti |
| 3.1. | Printsip raboti DL VIOR |
| 3.2. | Eksperimental'noe izgotovlenie DL VIOR |
Glava 4. | Obzor i prognoz rinka diodnikh lazerov |
| 4.1. | Sistemi opticheskoj pamyati |
| 4.2. | Telekommunikatsii |
| 4.3. | Sistemi nakachki dlya tverdotel'nikh lazerov |
| 4.4. | Meditsina |
| 4.5. | Poligrafiya / graficheskoe iskusstvo |
| 4.6. | Shou-biznes i displei / inspektsionnaya i kontrol'no-izmeritel'naya apparatura / schitivanie shtrikhkodov |
| 4.7. | Drugie primeneniya |
Glava 5. | Perspektivnie prikladnie razrabotki v oblasti diodnikh lazerov |
Glava 6. | Aktual'nie i perspektivnie napravleniya razrabotok i ispol'zovaniya diodnikh lazerov novogo tipa |
| 6.1. | Odnomodovie lazeri s povishennoj moschnost'yu izlucheniya i uluchshennimi kharakteristikami |
| 6.2. | Mnogomodovie lazeri i linejki neprerivnogo i impul'snogo rezhimov izlucheniya |
| 6.3. | Diodnie lazeri s uluchshennimi kharakteristikami dlya nakachki tverdotel'nikh lazerov |
| 6.4. | Diodnie lazeri dlya nakachki volokonno-opticheskikh usilitelej |
| 6.5. | Diodnie lazeri dlya nakachki volokonnikh lazerov |
| 6.6. | Nekotorie primeneniya malomoschnikh lazerov |
Zaklyuchenie |
Poluprovodnikovie izluchateli, k kotorim otnosyatsya diodnie
lazeri, poluprovodnikovie opticheskie usiliteli, spontannie
izluchateli (svetodiodi) i superlyuminestsentnie izluchateli, shiroko
primenyayutsya v razlichnikh sovremennikh tekhnologiyakh, takikh kak:
volokonnie i opticheskie linii svyazi v telekommunikatsiyakh,
visokomoschnie i effektivnie tverdotel'nie i volokonnie lazeri
shirokogo primeneniya, visokoproizvoditel'noe kopiroval'noe
i pechatnoe oborudovanie, tekhnologicheskoe oborudovanie
v elektronnom proizvodstve, tekhnologicheskoe oborudovanie
po obrabotke materialov, lazernoe khirurgicheskoe i terapevticheskoe
oborudovanie, v voennoj tekhnike (naprimer, pribori navedeniya,
nekontaktnie datchiki tseli) i dr.
Obschij ob'em prodazh tol'ko diodnikh lazerov postoyanno ros
v 1995--1999 godakh i v 2000 godu sostavil 6,59 mlrd dollarov.
Osnovnoj ob'em prodazh pri etom prikhodilsya na rinok
telekommunikatsij, on sostavil v 2000 godu primerno 5 mlrd
dollarov. V posleduyuschie dva goda nablyudalsya spad ob'emov prodazh
poluprovodnikovikh izluchatelej, odnako, nachinaya s 2002 goda,
snova nachinaetsya rezkij rost, kotorij po vsem imeyuschimsya
prognozam sokhranitsya na dlitel'nuyu perspektivu.
Posle blistatel'noj 40-letnej istorii svoego razvitiya dlya
ispol'zuemikh v nastoyaschee vremya poluprovodnikovikh izluchatelej
viyavilis' predeli (ogranicheniya) ikh tekhnicheskikh parametrov,
v pervuyu ochered', energeticheskikh.
Tak dal'nejshemu razvitiyu, rasshireniyu i osvoeniyu novikh oblastej
primeneniya diodnikh lazerov prepyatstvuet visokaya plotnost'
lazernogo izlucheniya na vikhodnom zerkale, obuslovlennaya malimi
razmerami tolschini aktivnoj oblasti izlucheniya (tela svecheniya),
chto suschestvenno ogranichivaet stol' zhelaemuyu vikhodnuyu moschnost'.
Poluprovodnikovie opticheskie usiliteli krome ukazannogo vishe
nedostatka -- malogo razmera tela svecheniya -- imeyut malij
razmer aperturi dlya vkhodnogo izlucheniya, chto opredelyaet bol'shie
poteri izlucheniya na vkhode (do 75 % i bolee) i znachitel'nie
tekhnologicheskie uslozhneniya pri vvode izlucheniya v aktivnuyu
oblast' usileniya. Krome togo, oni imeyut ochen' visokuyu
chuvstvitel'nost' k opticheskim otrazhennim signalam, chto privodit
k nestabil'nosti, nenadezhnosti ikh raboti i nevozmozhnosti
polucheniya visokoj moschnosti usilennogo izlucheniya pri ego visokom
kachestve.
Superlyuminestsentnie izluchateli i svetodiodi imeyut znachitel'no
bolee nizkuyu velichinu effektivnosti (1... 5 %) po sravneniyu
s poluprovodnikovimi lazerami i opticheskimi usilitelyami (mozhet
dostigat' 50 %), a moschnosti izlucheniya sostavlyayut doli i edinitsi
millivatt dlya svetodiodov i edinitsi i desyatki edinits millivatt
dlya superlyuminestsentnikh izluchatelej.
V poslednie godi za schet uspeshnikh tekhnologicheskikh issledovanij
fosfidnikh i nitridnikh soedinenij i geterostruktur, sozdani
sverkh'yarkie svetodiodi v krasnoj i sine-zelenoj oblasti spektra.
Eto nesomnenno krupnoe dostizhenie, kotoroe yavlyaetsya predposilkoj
k resheniyu aktual'noj problemi po sozdaniyu diodnikh osvetitel'nikh
lamp belogo osvescheniya. Odnako dlya resheniya etoj problemi
neobkhodimo uvelichit' po krajnej mere effektivnost' nekogerentnikh
izluchatelej v neskol'ko raz, a moschnost' izlucheniya uvelichit'
na odin-dva i bolee poryadkov.
Ostavayas' v ramkakh traditsionnikh podkhodov k usovershenstvovaniyu
poluprovodnikovikh izluchatelej, trudno rasschitivat'
na suschestvennoe uluchshenie ikh vazhnejshikh energeticheskikh kharakteristik -- effektivnosti i moschnosti izlucheniya.
Nami predlozhen sovershenno novij put' razvitiya
poluprovodnikovikh izluchatelej, kotorij pozvolyaet poluchit'
kachestvenno novij skachok v ikh naibolee suschestvennikh parametrakh:
moschnost', effektivnost', ugol raskhodimosti i t.d.
Predlagayutsya takie konstruktsii poluprovodnikovikh izluchatelej,
v geterostrukturakh kotorikh vivod izlucheniya osuschestvlyaetsya cherez
odnu (v nekotorikh redkikh sluchayakh -- cherez dve) poverkhnosti
aktivnogo sloya v vide vitekayuschego izlucheniya. Osobennost'yu
vitekayuschego izlucheniya yavlyaetsya to, chto ono vitekaet v oblast'
vikhoda iz vsej poverkhnosti ogranichitel'nogo sloya i chto eto
izluchenie imeet malij ugol raskhodimosti (primerno 1...2o)
v vertikal'noj ploskosti. Takim obrazom, kachestvo vitekayuschego
izlucheniya i vozmozhnost' vivesti ego iz aktivnogo sloya s visokoj
effektivnost'yu znachitel'no vishe, chem dlya ispol'zuemogo
v sovremennikh konstruktsiyakh izluchatelej
poverkhnostno-nenapravlennogo i tortsevogo izluchenij.
Realizatsiya predlozhennikh nami konstruktsij izluchatelej
s vitekayuschim izlucheniem ustranyaet ukazannie vishe tekhnicheskie
predeli ikh parametrov i pozvolyaet sozdat' novoe pokolenie
poluprovodnikovikh izluchatelej so znachitel'no bolee visokimi
energeticheskimi i prostranstvenno-spektral'nimi kharakteristikami.
Dannoe izobretenie zaschischeno ryadom rossijskikh i mezhdunarodnikh
patentov, v chastnosti, sleduyuschimi rossijskimi patentam:
RF2142665 -- Inzhektsionnij lazer, 1998 g.
RF2134007 -- Poluprovodnikovij opticheskij usilitel', 1998 g.
RF2142661 -- Inzhektsionnij nekogerentnij izluchatel', 1998 g.
RF2197047 -- Poluprovodnikovij usilitel'nij element
i poluprovodnikovij opticheskij usilitel', 2003 g.
RF2197048 -- Inzhektsionnij lazer, 2003 g.
RF2197049 -- Geterostruktura, 2003 g.
Dlya provedeniya issledovanij i razrabotok po izluchatelyam
s vitekayuschim izlucheniem bila sozdana Korporatsiya D--LED,
zaregistrirovannaya v oktyabre 1999 goda v shtate Delaver.
V noyabre 2000 goda po rekomendatsii ekspertov Kompanii Strategies
Unlimite pered nashej nauchno-issledovatel'skoj gruppoj bila
postavlena zadacha sozdaniya izluchatelya s moschnost'yu izlucheniya 1 Vt
i dlinoj volni 980 nm v odnomodovom volokne. Takuyu zadachu togda
ne stavila pered soboj ni odna iz krupnejshikh
kompanij-proizvoditelej mira. Etot pribor stal pervim,
na primere kotorogo podtverdilsya na praktike izlozhennij v patentakh
printsip vitekaniya.
V marte 2001 goda bili izgotovleni obraztsi izluchatelej
s vitekaniem, otvechayuschie usloviyam postavlennoj zadachi, i peredani
na testirovanie v nezavisimuyu organizatsiyu -- Berlinskij
Tekhnicheskij universitet. Vivod, sdelannij Berlinskim TU,
soderzhaschijsya v predstavlennom imi otchete, odnoznachen: podkhod,
osnovannij na ispol'zovanii vitekayuschego izlucheniya, yasno
prodemonstriroval ego preimuschestvo po sravneniyu so standartnimi
kommercheskimi tekhnologiyami.
Bol'shim kommercheskim dostoinstvom lazerov s vitekayuschim
izlucheniem yavlyaetsya to, chto tekhnologicheskij marshrut
i tekhnologicheskie protsessi ikh izgotovleniya prakticheski sovpadayut
s suschestvuyuschimi tekhnologiyami dlya tortsevikh lazerov (za isklyucheniem
sostavov i tolschin sloev geterostrukturi), t.e. ne trebuyut
novogo oborudovaniya i novikh inzhenernikh navikov.
Na osnove predlagaemikh printsipov mozhet bit' razrabotano bol'shoe
kolichestvo konstruktsij novikh priborov.
Diodnie lazeri s vitekayuschim izlucheniem sozdadut novie
oblasti primeneniya i vitesnyat suschestvuyuschie v nastoyaschee vremya
diodnie lazeri iz tekh oblastej primeneniya, gde neobkhodimi
visokomoschnie, visokonadezhnie diodnie lazeri, obladayuschie pri etom
visokoj napravlennost'yu izlucheniya. Dlya ryada primenenij yavlyaetsya
vazhnim vozmozhnost' effektivno i s malimi zatratami vvesti
izluchenie v odnomodovoe volokno (a esche luchshe -- vvesti
napryamuyu, bez opticheskikh soglasuyuschikh elementov).
Nizhe ukazani lish' nekotorie iz primenenij diodnikh lazerov
s vitekayuschim izlucheniem:
-- Novoe pokolenie volokonno-opticheskikh usilitelej dlya
optovolokonnikh setej s bol'shoj skorost'yu peredachi informatsii,
dlya linij peredach kabel'nogo televideniya s bol'shim chislom
raspredelennikh uzlov i dr.
-- Visokomoschnie i effektivnie tverdotel'nie lazeri razlichnogo
naznacheniya.
-- Ramanovskie volokonnie lazeri visokoj i srednej moschnosti
razlichnogo naznacheniya.
-- Proektsionnoe bitovoe televidenie i video tekhnika.
-- Lazernie peredayuschie moduli dlya volokonno-opticheskikh linij
svyazi i peredachi informatsii.
Krome togo, predlagaemie poluprovodnikovie lazeri najdut shirokoe
primenenie v meditsinskom oborudovanii, pri obrabotke materialov
(ochistka, pajka, svarka), v sverkhskorostnikh lazernikh printerakh
i dr.
V rassmatrivaemom podkhode predlozhena takzhe novaya konstruktsiya
poverkhnostno-izluchayuschego lazera, yavlyayuschegosya, na nash vzglyad,
odnim iz samikh perspektivnikh produktov. Segodnya lazernie diodi
ispol'zuyutsya chasche vsego kak diskretnij element. Odnako bol'shoe
pole dlya ispol'zovaniya v oblasti optovolokonnikh setej i v kachestve opticheskikh mezhsoedinenij otkrivaetsya pri perekhode
ot diskretnogo lazernogo dioda k upravlyaemoj matritse (linejke)
diodov. V etom sluchae neobkhodimo, chtobi generiruemoe
ot lazernogo dioda izluchenie bilo napravleno po normali
k poverkhnosti aktivnogo sloya. Eto daet vozmozhnost' ne tol'ko
izgotovit' v edinom tekhnologicheskom tsikle razom bol'shoe
kolichestvo lazernikh diodov, no i provesti izmereniya kazhdogo
dioda, ne raskalivaya plastini na elementi. Pri etom
obespechivaetsya visokaya plotnost' lazernikh diodov na plastine
i nizkaya stoimost' v raschete na odin diod.
Izvestnij v nastoyaschee vremya poverkhnostno-izluchayuschij lazer
s vertikal'nim rezonatorom VCSEL v printsipe otvechaet etim
trebovaniyam. V poslednee desyatiletie provedeni uspeshnie
intensivnie issledovaniya po sovershenstvovaniyu i dovedeniyu VCSEL
na dlinu volni 850 nm do kommercheskogo produkta. Odnako
konstruktsiya sovremennogo VCSEL imeet ryad printsipial'nikh
tekhnicheskikh bar'erov pri ego izgotovlenii (v chastnosti, malaya
dlina oblasti aktivnogo usileniya, sovpadenie ploskostej
otrazhatelej opticheskogo rezonatora s ploskostyami protekaniya
toka, ochen' visokie trebovaniya k velichine koeffitsientov
otrazheniya dlya otrazhatelej).
V predlozhennoj novoj konstruktsii poverkhnostno-izluchayuschego lazera
s vitekayuschim izlucheniem ukazannie vishe problemi otsutstvuyut. Pri
etom nami rassmotren tekhnologicheskij marshrut izgotovleniya
matritsi takikh lazernikh diodov. On dostatochno prost, ekonomichen
i otvechaet trebovaniyam promishlennogo izgotovleniya upravlyaemikh
matrits diodov.
Poluprovodnikovie opticheskie usiliteli s vitekayuschim
izlucheniem, v kotorikh usilennim signalom yavlyaetsya tol'ko
vitekayuschee izluchenie iz aktivnoj oblasti, imeyut znachitel'nie
preimuschestva pered suschestvuyuschimi. V pervuyu ochered' -- eto
bol'shoe (primerno na poryadok) uvelichenie vkhodnoj i vikhodnoj
aperturi. Na vkhode eto privedet k ustraneniyu odnogo iz krupnikh
nedostatkov suschestvuyuschikh usilitelej -- dostatochno bol'shikh
poter' izlucheniya. Na vikhode -- poluchaem usilennoe simmetrichnoe
izluchenie uzkoj napravlennosti, soglasovannoe
po prostranstvennoj i uglovoj aperture so standartnim odnomodovim
voloknom.
Naryadu s etim, znachitel'no uproschaetsya i udeshevlyaetsya konstruktsiya
opticheskogo uzla vvoda i vivoda -- vvod i vivod mogut bit'
sdelani napryamuyu bez kakikh-libo opticheskikh soedinitelej.
Dopolnitel'nimi preimuschestvami novikh usilitelej yavlyaetsya takzhe
znachitel'noe vozrastanie urovnya nasischeniya moschnosti izlucheniya.
Usiliteli s vitekayuschim izlucheniem v znachitel'nom ryade primenenij
mogut stat' al'ternativoj volokonno-opticheskim usilitelyam. Imeya
bolee nizkuyu tsenu i prostotu konstruktsii, oni neobkhodimi dlya
razlichnikh primenenij v volokonno-opticheskikh liniyakh svyazi
i peredachi informatsii.
I, nakonets, tverdotel'noe osveschenie ili luchshe -- svetodiodnoe osveschenie, sozdanie kotorogo yavlyaetsya krupnoj
problemnoj zadachej nastoyaschego vremeni.
Za bolee chem stoletie so vremen, kogda tvoril Edison, ser'eznikh
sdvigov v tekhnologii osvescheniya ne proizoshlo. Esli ne schitat'
elektrolyuminestsentnikh lamp s ikh ser'eznimi nedostatkami, to,
po-prezhnemu, glavenstvuyuschuyu rol' v osveschenii igrayut obichnie
lampi nakalivaniya. Nesmotrya na provedennie usovershenstvovaniya,
lampi nakalivaniya obladayut ryadom suschestvennikh nedostatkov.
Prezhde vsego, spektral'nij sostav izlucheniya lamp zametno
otlichaetsya ot estestvennogo solnechnogo, chto vliyaet na zdorov'e
i nastroenie lyudej. KPD dejstviya lamp nakalivaniya vsego primerno
5 %, a eto oznachaet, chto tol'ko 1/20 chast' zatrachivaemoj energii
prevraschaetsya v svet, a bolee 90 % raskhoduetsya naprasno
na nevidimoe glazom izluchenie i teplo. Krome togo, nadezhnost'
i resurs raboti etikh lamp nevisokie -- sotni chasov.
Diodnoe osveschenie dast ogromnij ekonomicheskij effekt. Kak
govoryat eksperti, konechnij rezul'tat budet zaklyuchat'sya
v ekonomii desyatkov milliardov dollarov v energii
i ekspluatatsionnikh raskhodakh ezhegodno. Takim obrazom, mozhno
govorit' o gryaduschej revolyutsii v ispol'zovanii lyud'mi osvescheniya
v domakh i ofisakh.
Klyuchevaya zadacha, kotoruyu predstoit reshit' dlya preodoleniya
bar'erov na puti sozdaniya novogo pokoleniya svetodiodnikh
izluchatelej, prigodnikh dlya osvescheniya kvartir v domakh i ofisakh,
sostoit v uvelichenii effektivnosti preobrazovaniya primerno
do 50--70 % (chto primerno v 10 raz bol'she, chem u lamp nakalivaniya).
V poslednee vremya dlya uvelicheniya effektivnosti svetodiodov
ispol'zuyut razlichnie sposobi uvelicheniya doli vivodimogo
izlucheniya. Sudya po poslednim publikatsiyam, eto pozvolilo
uvelichit' vivod izlucheniya do 30 %. Odnako neobkhodimoe dlya
shirokogo primeneniya poluprovodnikovikh izluchatelej v priborakh
osvescheniya udvoenie effektivnosti svetodiodov predlozhennimi
sposobami ne prosmatrivaetsya.
Nami predlozhen original'nij i prostoj put' resheniya zadachi
po uvelicheniyu effektivnosti preobrazovaniya elektricheskoj energii
v izluchatele vplot' do 60--80 %. Sut' predlozheniya sostoit v tom,
chtobi pridat' napravlennost' spontannomu izlucheniyu, chto
dostigaetsya spetsial'noj konstruktsiej geterostrukturi, pri
kotoroj bol'shaya chast' spontannogo izlucheniya, voznikayuschego
v aktivnom sloe, vitekaet iz nego v strogo zadannikh napravleniyakh
s uzkoj napravlennost'yu.
V nastoyaschej rabote izlozheni osnovnie idei postroeniya
poluprovodnikovikh priborov s vovlechennim v lazernuyu generatsiyu
izlucheniem, vitekayuschim iz aktivnoj oblasti. Privodyatsya pervie
rezul'tati eksperimental'noj raboti. Analiziruyutsya perspektivnie
oblasti primeneniya predlagaemikh lazerov novogo tipa.
Gelovani Viktor Archilovich, ISA RAN
Akademik RAN po Otdeleniyu nanotekhnologij i informatsionnikh tekhnologij. Avtor okolo 200 nauchnikh publikatsij po informatike, cheloveko-mashinnim modeliruyuschim sistemam, modelyam slozhnikh tekhnicheskikh i sotsial'no-ekonomicheskikh sistem i protsessov. Bolee 20 let zanimaetsya nauchno-issledovatel'skimi i opitno-konstruktorskimi rabotami v oblasti diffuzionnogo tsinkovaniya dlinnomernikh metallicheskikh izdelij, prezhde vsego trub neftyanogo sortamenta, ekspluatiruemikh v usloviyakh agressivnikh korrozionnikh sred. Yavlyaetsya osnovatelem kompanii, raspolagayuschej na segodnyashnij den' odnim iz krupnejshikh v mire proizvodstv po naneseniyu intermetallidnikh diffuzionnikh, polimernikh i kombinirovannikh pokritij, obespechivayuschikh mnogofaktornuyu zaschitu NKT i drugikh izdelij neftyanogo sortamenta.