|
Оглавление
Предисловие Глава I. Нетермическая активация кристаллизационных процессов § 1. Влияние электрических полей на процесс кристаллизации § 2. Оптическое воздействие, на процессы кристаллизации § 3. Ионная имплантация Глава II. Кристаллизация пленок и полупроводниковых слоев из молекулярных потоков в атмосфере разреженных газов § 1. Электрохимическое полирование и газовое травление подложек § 2. Газовое травление кремния § 3. Влияние условий термоотжига кремниевых подложек для эпитак-сии на электрофизические параметры приповерхностных слоев § 4. Эпитаксия кремния из молекулярных потоков в атмосфере разреженного водорода § 5. Начальные стадии роста эпитаксиальных слоев из молекулярных потоков § 6. Электрофизические свойства тонких эпитаксиальных слоев кремния § 7. Эпитаксиальные слои на ионно-легированных поверхностях. Глава III. Рост пленок и низкотемпературная эпитаксия полупроводников из ионно-молекулярных потоков § 1. Действие ионов на растущий кристалл. Характеристики параметров процесса осаждения § 2. Аппаратура и техника эксперимента по осаждению пленок и эпитаксиальных слоев из ионно-молекулярных потоков § 3. Основные закономерности роста пленок и эпитаксиальных слоев из ионно-молекулярных потоков § 4. Энергетический спектр ускоренных ионов, бомбардирующих поверхность роста, и их влияние на эпитаксиальный рост § 5. Зависимость начальных стадий формирования тонких пленок и эпитаксиальных слоев от температуры роста и облучения поверхности ионами § 6. Механизм роста эпитаксиальных слоев полупроводников из ионно-молекулярных потоков § 7. Легирование слоев в процессе роста из ионно-молекулярных потоков Глава IV. Свойства и применение полупроводниковых структур, полученных ионно-активированной кристаллизацией § 1. Химический состав слоев. Фазовые и аллотропные переходы, стимулированные ионным пучком § 2. Электрофизические свойства слоев § 3. Солнечные элементы, полученные осаждением ионизированных кластеров § 4. Перспективы развития процесса осаждения из ионно-молекулярных потоков Литература |