Обложка Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии: Пер. с англ.
Id: 278825

Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии:
Пер. с англ.

1984. 476 с. Букинист. Состояние: 4+. Погашенная библиотечная печать.

Аннотация

Фундаментальная монография известного американского автора посвящена технологии получения полупроводникового кремния высокой чистоты, используемого для производства интегральных микросхем и полупроводниковых приборов различного назначения. Исследовано влияние дефектов и примесей на электрические свойства кристаллов кремния.

Для специалистов в области материаловедения и производства полупроводниковых материалов и приборов.