В 1982 г. вышло наше первое пособие по кристаллографии, посвященное различным методам описания кристаллических многогранников1. Настоящее пособие представляет собою логическое завершение сводки методов описания кристаллов и посвящено методам описания кристаллических структур. Руководство составлено таким образом, чтобы читатель мог познакомиться с сущностью большинства представленных здесь методов, не обращаясь к первому пособию, тем более, что подавляющая часть этих методов представляет самостоятельный интерес. Вряд ли будет преувеличением сказать о том, что до настоящего времени в учебной литературе фактически не было пособий практического характера по структурной кристаллографии и кристаллохимии за немногими исключениями2-4. Об этом пишет П.М. Зоркий: «В учебной литературе по кристаллохимии и смежным дисциплинам задачи практически отсутствуют»3. В этом смысле настоящее Руководство в какой-то мере восполняет указанный пробел. Во-первых, оно содержит краткие описания большинства наиболее употребительных методов кристаллографии и кристаллохимии. Во-вторых, практическому применению каждого из методов существенно помогают Методические указания, сопровождающие краткую сводку теоретических основ метода. В-третьих, описание каждого метода сопровождается детальным разбором нескольких типовых задач (в книге их около пятидесяти). В-четвертых, формированию прочных практических навыков способствуют многочисленные упражнения (в книге их более тысячи), которые могут быть использованы как при индивидуальной работе, так и при проведении групповых занятий. Наконец, в-пятых, для контроля усвоения учебного материала каждый раздел содержит перечень контрольных вопросов. Таким образом, отличительной особенностью настоящего Руководства является его ярко выраженная практическая направленность. Наряду с изложением традиционных методов впервые в учебной литературе приведены специфические методы описания эпитаксиальных структур, получивших за последние годы широкое распространение в полупроводниковой электронике, вычислительной технике, в квантовой электронике и других новейших отраслях техники. Серьезное внимание авторами уделено методу обратной решетки, который нашел широкое применение в фундаментальных исследованиях (в рентгенографии, электронографии, физике твердого тела), но, к сожалению, часто вызывает затруднения при его изучении. В Руководство включены некоторые методы расчета кристаллических структур (расчет параметров кристаллической структуры с помощью ионных радиусов, расчет рентгеновской и ретикулярной плотностей), которые применяются в специальной и научной литературе и обычно вызывают у слушателей глубокий познавательный интерес, раскрывая для них фундаментальное значение кристаллохимии и ее методов для изучения атомного строения вещества. Авторы пытались показать читателю «живые» кристаллические структуры, которые отзываются на изменение внешних условий и перестраиваются под влиянием изменений температуры и давления (например, в гл. 2, части второй). 1985 г.
![]() Профессор кафедры физики кристаллов физико-химического факультета Московского института стали и сплавов (МИСиС), ученик выдающихся профессоров МИСиС — Б. Н. Финкельштейна, А. Н. Крестовникова, М. П. Шаскольской.
Был студентом первого набора МИСиС. В 1953 г. окончил физико-химический факультет. В дипломной работе (руководитель — проф. Б. И. Финкельштейн) им впервые были обнаружены релаксационные максимумы внутреннего трения в легированных сталях, получившие название «эффект Финкельштейна—Розина». Этот эффект включен во все современные физические справочники. С 1963 г. его трудовая деятельность была неразрывно связана с кафедрой кристаллографии (физики кристаллов) МИСиС. Область научных интересов К. М. Розина была связана с развитием физико-химических основ кристаллизации и разработкой оригинальных методов выращивания кристаллов. При его активном участии на кафедре физики кристаллов была создана учебно-исследовательская лаборатория по выращиванию водорастворимых монокристаллов для квантовой электроники. К. М. Розин — автор 5 учебников, 25 учебных пособий, в том числе «Практическая кристаллография» и «Кристаллофизика», 10 патентов и авторских свидетельств, более 100 научных работ в области теории и практики кристаллизационных методов. Он совмещал преподавательскую и научную деятельность с обширной научно-методической работой. Гусев Эдуард Борисович Кандидат физико-математических наук, профессор. Работал в Московском институте стали и сплавов (МИСиС); кандидатская диссертация была посвящена воздействию ядерного излучения на материалы. Позже перешел на работу в органы государственного управления. Более 10 лет был управляющим делами Российского экономического университета (РЭУ) имени Г. В. Плеханова. В настоящее времяя помощник начальника Организационно-правового управления РЭУ имени Г. В. Плеханова.
|