В обзоре Р. Фишера и X. Ноймана изложены основы теории автоэмиссии полупроводников n-типа с учетом особенностей их зон- ной структуры. Приводятся выражения для плотности эмиссионного тока и энергетического распределения автоэлектронов, рассматри- вается влияние поверхностных состояний на автоэмиссию. Вторую, экспериментальную, часть обзора составляют результаты исследования поверхности полупроводников методами автоэлектронной и автоионной микроскопии,... (Подробнее)
