Обложка Фишер Р., Нойман Х. __Автоэлектронная эмиссия полупроводников. Пер. с нем. С доп. обзором 'Новое в исследовании автоэлектронной эмиссии полупроводников' Г.Н.Фурсея и О.И.Львова
Id: 258487

Автоэлектронная эмиссия полупроводников.
Пер. с нем. С доп. обзором "Новое в исследовании автоэлектронной эмиссии полупроводников" Г.Н.Фурсея и О.И.Львова

1971. 216 с. Букинист. Состояние: 4+. Погашенная печать расформированной библиотеки.
  • Мягкая обложка

Аннотация

В обзоре Р. Фишера и X. Ноймана изложены основы теории автоэмиссии полупроводников n-типа с учетом особенностей их зон- ной структуры. Приводятся выражения для плотности эмиссионного тока и энергетического распределения автоэлектронов, рассматри- вается влияние поверхностных состояний на автоэмиссию. Вторую, экспериментальную, часть обзора составляют результаты исследования поверхности полупроводников методами автоэлектронной и автоионной микроскопии,...(Подробнее) вольтамперных характеристик и энергетических спектров эмиттируемых электронов.

В обзоре Г. Н. Фурсея и О. И. Львова представлены работы по автоэлектронной эмиссии полупроводников, выполненные после 1965 г. Основное внимание уделено вопросам чистой постановки экспериментов, новым достижениям в развитии автоэлектронной микроскопии и в экспериментальном изучении основных эмиссионных характеристик. Вторая часть обзора посвящена теоретическому исследованию механизма автоэлектронной эмиссии полупроводников. Подробно анализируется приближение «нулевого тока» в теории и особенности эмиссии, возникающие при его нарушении.

Рис. 123, табл. 11, библ. 373 назв.