Красников Г. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов

В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам

технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей

МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную... (Подробнее)