Предисловие Глава первая. Принципы действия микроэлектронных устройств на магнитных средах 1-1. Устройства управления параметрами светового пучка 1-2. Запоминающие устройства на цилиндрических магнитных доменах 1-3. Управляемые транспаранты 1-4. Устройства термомагнитной записи информации Глава вторая. Материалы для устройств на ЦМД 2-1. Связь параметров ЦМД с основными физическими константами материала 2-2. Типы ЦМД материалов 2-3. Одноосная анизотропия в гранатовых пленках 2-4. Динамические характеристики доменной структуры гранатов с ЦМД 2-5. Подавление ТЦД в гранатовых эпитаксиальных пленках 2-6. Температурная чувствительность характеристик ЦМД материалов Глава третья. Материалы для магнитооптических устройств 3-1. Оптическое поглощение и фарадеевское вращение 3-2. Материалы для магнитооптических модуляторов, затворов 3-3. Материалы для устройств управления параметрами светового пучка на базе дифракционных эффектов 3-4. Материалы для управляемых транспарантов 3-5. Материалы для термомагнитной записи Глава четвертая. Получение магнитных кристаллов и эпитаксиальных пленок 4-1. Выращивание объемных монокристаллов 4-2. Эпитаксиальное выращивание магнитных гранатовых пленок 4-3. Регулирование магнитных свойств эпитаксиальных гранатовых пленок 4-4. Характеристики эпитаксиальных пленок Глава пятая. Характеристики микроэлектронных устройств на магнитных материалах 5-1. Состояние и перспективы устройств на ЦМД 5-2. Магнитооптические материалы в оптических устройствах хранения и обработки информации 5-3. Другие магнитооптические устройства Список литературы |