|
Оглавление
 Предисловие Введение. Краткий исторический обзор 1
•Методы исследования 1. Катод в тлеющем разряде 2. Зонд Ленгмюра в плазме низкого давления 3. Мишень, распыляемая пучком ионов 4. Распыление осколками деления ядер 5. Ионный микропроектор 6. Методы измерения коэффициента и скорости распыления 7. Требования, предъявляемые при проведении количественных исследований распыления 2 • Характеристики эмиттированных частиц 1. Природа эмиттированных частиц 2. Скорость эмиттированных частиц 3. Угловое распределение эмиттированных атомов 4. Глубина выхода эмиттированных атомов 3 • Влияние различных факторов на коэффициент распыления поликристаллов 1. Энергия ионов 2. Импульс (скорость) ионов 3. Угол падения ионов 4. Атомный номер иона и атомов мишени 5. Состояние поверхности и плотности тока ионов 6. Давление газа и температура образца 7. Распыление сплавов 8. Краткие выводы 4 • Распыление монокристаллов 1. Методика-исследований 2. Эмиссия атомов из монокристаллов в направлениях плотной упаковки 3. Зависимость направлений вылета атомов от типа решетки, плоскости среза и температуры монокристалла и от энергии, угла падения и массы иона 4. Угловое распределение атомов в отдельных пятнах Венер; 5. Зависимость коэффициента распыления от ориентации граней кристаллов, кристаллографических направлений, плотности атомов на поверхности, энергии и массы иона 6. Зависимость коэффициента распыления монокристаллов от угла падения иона 7. Спектр скоростей и средняя кинетическая энергия атомов, эмиттированных вдоль основных кристаллографических направлений 8. Механическая модель распыления Моргулиса
9. Краткие выводы
5
Взаимодействие ионов с твердыми веществами
1. Введение
2. Типы соударений и потенциал взаимодействия между двумя атомами
3. Геометрическая фокусировка соударений атомов в направлениях (ПО) и (100) в гранецентрированных кубических кристаллических решетках
4. Линзовая фокусировка столкновений атомов с замещением в направлениях ( 100) и < 111 ) в гранецентрированных и объ-емноцентрированных кубических кристаллических решетках
5. Внедрение ионов в металлы
6. Поверхностные явления, создаваемые распылением
6
Теория катодного распыления
1. Введение
2. Теория распыления для пороговой области энергий
3. Теория распыления для области абсолютно упругих соударений
4. Теория распыления для области резерфордовских и экранированных кулоновских соударений атомов
5. Теория распыления монокристаллов
6. Термические теории распыления
7. Краткие выводы
7
Применение катодного распыления
1. Создание автомночистых поверхностей и удаление тонких слоев металлов
2. Получение тонких пленок и их свойства
3. ИонАое травление
4. Метод препарирования и электронной микроскопии
5. Сорбционно-ионные насосы
6. Химические реакции, сопровождающие распыление
7. Борьба с электрическими пробоями
8. Источники ионов, использующие катодное распыление
9. Улучшение характеристик полупроводниковых приборов
10. Другие области применения катодного распыления
8
Катодное распыление в науке и технике
1. Основные методы борьбы с распылением
2. Распыление оксидных катодов
3. Распыление торированных и пленочных катодов
4. Распыление автоэлектронных эмиттеров
5. Распыление фотокатодов
6. Распыление в экспериментальных термоядерных установках
7. Распыление в ускорителях заряженных частиц
8. Распыление в ионных ракетных двигателях
9. Распыление метеоритов и поверхности Луны
10. Устранение ионной бомбардировки
Литература
Предметный указатель
|