URSS.ru - Издательская группа URSS. Научная и учебная литература
Об издательстве Интернет-магазин Контакты Оптовикам и библиотекам Вакансии Пишите нам
КНИГИ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ


 
Вернуться в: Каталог  
Обложка Левин С. Основы полупроводниковой микроэлектроники: Пер. с англ.
Id: 64625
 

Основы полупроводниковой микроэлектроники: Пер. с англ.

1966. 244 с. Твердый переплет. Букинист. Состояние: 4. Есть погашенная библиотечная печать.
Обращаем Ваше внимание, что книги с пометкой "Предварительный заказ!" невозможно купить сразу. Если такие книги содержатся в Вашем заказе, их цена и стоимость доставки не учитываются в общей стоимости заказа. В течение 1-3 дней по электронной почте или СМС мы уточним наличие этих книг или отсутствие возможности их приобретения и сообщим окончательную стоимость заказа.

 Аннотация

Книга является введением в полупроводниковую микроэлектронику. В ней в доступной форме изложены физические основы микроэлектроники, описаны свойства поверхностей и тонких пленок, а также технологические методы изготовления твердых и тонкопленочных схем. Приведены примеры построения и создания различных микроэлектронных схем.

Книга предназначена в качестве учебного пособия для студентов старших курсов, она будет полезна также инженерам и техникам, работающим в области полупроводниковой микроэлектроники.


 Оглавление

Предисловие к русскому изданию

Предисловие автора

Глава 1. Разработка систем и вопросы надежности

1.1. Введение

1.2. Уменьшение габаритов

1.3. Рассеяние мощности и отвод тепла

1.4. Надежность и миниатюризация

1.5. Элементы теории надежности

1.в. Сложность схемы и надежность

1.7. Теория резервируемых систем

Задачи

Литература

Глава 2. Физические основы микроэлектроники

2.1. Введение

2.2. Идеальные кристаллы

2.3. Несовершенства в кристаллах

2.4. Дислокации в кристаллах

2.5. Электропроводность в твердых телах

2.6. Дефекты и электропроводность

2.7. Уровень Ферми

2.8. Ионизация светом

2.9. Квазиуровень Ферми

2.10.Захват и рекомбинация

2.11.Уравнения переноса носителей

2.12.Эффективная масса

2.13.Подвижность носителей

Задачи

Литература

Глава 3. Свойства поверхностей и тонких пленок

3.1. Общие соображения

3.2. Структура поверхности полупроводников

3.3. Область пространственного заряда в полупроводнике

3.4. Количественная теория пространственного заряда в приповерхностной области

3.5. Поверхностная рекомбинация

3.6. Перенос носителей и рекомбинация

3.7. Рассеяние на поверхности полупроводников

3.8. Тонкие пленки

3.9. Выращивание тонких пленок

3.10. Структура тонких пленок

3.11. Электропроводность тонких металлических пленок

Задачи

Литература

Глава 4. Выпрямление и структура с р-п переходом

4.1. Введение

4.2. Теория контактов металл --- полупроводник

4.3. Потенциал р-п перехода

4.4. Уравнения выпрямления

4.5. Емкость перехода

4.6. Лавинный пробой р-п перехода

4.7. Инверсионные слои на р-п переходах

4.8. Приборы с одним переходом

4.9. Канальный (полевой) транзистор

4.10. Туннельные диоды

4.11. Прочие приборы с одним переходом

4.12. Транзисторы

4.13. Теория транзистора в случае малого сигнала

4.14. Модуляция толщины базы

4.15. Параметры транзистора

4.16. Поведение транзистора при большом сигнале

4.17. Приборы с несколькими р-п переходами

Задачи

Литература

Глава 5. Вопросы технологии

5.1. Введение

5.2. Приготовление германия и кремния для целей электронной промышленности

5.3. Зонная плавка

5.4. Кристаллическая структура и производство приборов

5.5. Удельное сопротивление и время жизни неосновных носителей

5.6. Создание р-п перехода

5.7. Диффузия

5.8. Определение поверхностной концентрации

5.9. Маскировка и фототравление

5.10. Получение тонких пленок

5.11. Термокомпрессионное соединение

Задачи

Литература

Глава 6. Миниатюрные и тонкопленочные схемы

6.1. Введение

6.2. Общие соображения о производстве миниатюрных и тонкопленочных схем

6.3. Предварительный обзор миниатюрных конструкций

8.4. Керамические и стеклянные подложки

6.5. Проводящие материалы

6.6. Резистивные элементы

6.7. Тонкопленочные конденсаторы

6.8. Катушки индуктивности

6.9. Схемы и микроузлы

6.10. Микромодули

6.11. Тонкопленочные jRC-цепочки

6.12. Другие методы микроминиатюризации

6.13. Напыленные танталовые ЯС-цепочки

6.14. Тонкопленочные усилители

Задачи

Литература

Глава 7. Полупроводниковые интегральные схемы

7.1. Введение

7.2. Резисторы

7.3. Конденсаторы

7.4. Распределенные RС-цепочки

7.5. Эквиваленты индуктивностей

7.6. Функциональные устройства задержки и накопления

7.7. Активные элементы

7.8. Переключающие функциональные устройства

7.9. Наиболее характерные примеры полупроводниковых интегральных схем

7.10. Схемы, созданные путем эпитаксиального наращивания Литература

 
© URSS 2016.

Информация о Продавце