|
Оглавление
 Предисловие к русскому изданию Предисловие автора Глава 1. Разработка систем и вопросы надежности 1.1. Введение 1.2. Уменьшение габаритов 1.3. Рассеяние мощности и отвод тепла 1.4. Надежность и миниатюризация 1.5. Элементы теории надежности 1.в. Сложность схемы и надежность 1.7. Теория резервируемых систем Задачи Литература Глава 2. Физические основы микроэлектроники 2.1. Введение 2.2. Идеальные кристаллы 2.3. Несовершенства в кристаллах 2.4. Дислокации в кристаллах 2.5. Электропроводность в твердых телах 2.6. Дефекты и электропроводность 2.7. Уровень Ферми 2.8. Ионизация светом 2.9. Квазиуровень Ферми 2.10.Захват и рекомбинация 2.11.Уравнения переноса носителей 2.12.Эффективная масса 2.13.Подвижность носителей Задачи Литература Глава 3. Свойства поверхностей и тонких пленок 3.1. Общие соображения 3.2. Структура поверхности полупроводников 3.3. Область пространственного заряда в полупроводнике 3.4. Количественная теория пространственного заряда в приповерхностной области 3.5. Поверхностная рекомбинация
3.6. Перенос носителей и рекомбинация
3.7. Рассеяние на поверхности полупроводников
3.8. Тонкие пленки
3.9. Выращивание тонких пленок
3.10. Структура тонких пленок
3.11. Электропроводность тонких металлических пленок
Задачи
Литература
Глава 4. Выпрямление и структура с р-п переходом
4.1. Введение
4.2. Теория контактов металл — полупроводник
4.3. Потенциал р-п перехода
4.4. Уравнения выпрямления
4.5. Емкость перехода
4.6. Лавинный пробой р-п перехода
4.7. Инверсионные слои на р-п переходах
4.8. Приборы с одним переходом
4.9. Канальный (полевой) транзистор
4.10. Туннельные диоды
4.11. Прочие приборы с одним переходом
4.12. Транзисторы
4.13. Теория транзистора в случае малого сигнала
4.14. Модуляция толщины базы
4.15. Параметры транзистора
4.16. Поведение транзистора при большом сигнале
4.17. Приборы с несколькими р-п переходами
Задачи
Литература
Глава 5. Вопросы технологии
5.1. Введение
5.2. Приготовление германия и кремния для целей электронной промышленности
5.3. Зонная плавка
5.4. Кристаллическая структура и производство приборов
5.5. Удельное сопротивление и время жизни неосновных носителей
5.6. Создание р-п перехода
5.7. Диффузия
5.8. Определение поверхностной концентрации
5.9. Маскировка и фототравление
5.10. Получение тонких пленок
5.11. Термокомпрессионное соединение
Задачи
Литература
Глава 6. Миниатюрные и тонкопленочные схемы
6.1. Введение
6.2. Общие соображения о производстве миниатюрных и тонкопленочных схем
6.3. Предварительный обзор миниатюрных конструкций
8.4. Керамические и стеклянные подложки
6.5. Проводящие материалы
6.6. Резистивные элементы
6.7. Тонкопленочные конденсаторы
6.8. Катушки индуктивности
6.9. Схемы и микроузлы
6.10. Микромодули
6.11. Тонкопленочные jRC-цепочки
6.12. Другие методы микроминиатюризации
6.13. Напыленные танталовые ЯС-цепочки
6.14. Тонкопленочные усилители
Задачи
Литература
Глава 7. Полупроводниковые интегральные схемы
7.1. Введение
7.2. Резисторы
7.3. Конденсаторы
7.4. Распределенные RС-цепочки
7.5. Эквиваленты индуктивностей
7.6. Функциональные устройства задержки и накопления
7.7. Активные элементы
7.8. Переключающие функциональные устройства
7.9. Наиболее характерные примеры полупроводниковых интегральных схем
7.10. Схемы, созданные путем эпитаксиального наращивания Литература
|