URSS.ru - Издательская группа URSS. Научная и учебная литература
Об издательстве Интернет-магазин Контакты Оптовикам и библиотекам Вакансии Пишите нам
КНИГИ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ


 
Вернуться в: Каталог  
Обложка Лютович А.С. Ионно-активированная кристаллизация пленок
Id: 55090
 

Ионно-активированная кристаллизация пленок

1982. 148 с. Твердый переплет. Букинист. Состояние: 4+. .
Обращаем Ваше внимание, что книги с пометкой "Предварительный заказ!" невозможно купить сразу. Если такие книги содержатся в Вашем заказе, их цена и стоимость доставки не учитываются в общей стоимости заказа. В течение 1-3 дней по электронной почте или СМС мы уточним наличие этих книг или отсутствие возможности их приобретения и сообщим окончательную стоимость заказа.

 Аннотация

В монографии изложены физико-химические основы процессов осаждения пленок и монокристаллических слоев с применением ионных пучков. Систематизированы результаты исследований последних лет в сравнительно новой области физики тонких пленок --- кристаллизации из ионно-молекулярных потоков; рассмотрены механизмы действия ионного пучка на зарождение, рост слоев и их легирование; показаны особенности влияния ионного пучка на формирование структурных и электрофизических свойств пленок и слоев.

Для специалистов в области физики и химии твердого тела, электронной техники и микроэлектроники, аспирантов и студентов физических и инженерно-физических факультетов вузов.


 Оглавление

Предисловие

Глава I. Нетермическая активация кристаллизационных процессов

§ 1. Влияние электрических полей на процесс кристаллизации

§ 2. Оптическое воздействие, на процессы кристаллизации

§ 3. Ионная имплантация

Глава II. Кристаллизация пленок и полупроводниковых слоев из молекулярных потоков в атмосфере разреженных газов

§ 1. Электрохимическое полирование и газовое травление подложек

§ 2. Газовое травление кремния

§ 3. Влияние условий термоотжига кремниевых подложек для эпитак-сии на электрофизические параметры приповерхностных слоев

§ 4. Эпитаксия кремния из молекулярных потоков в атмосфере разреженного водорода

§ 5. Начальные стадии роста эпитаксиальных слоев из молекулярных потоков

§ 6. Электрофизические свойства тонких эпитаксиальных слоев кремния

§ 7. Эпитаксиальные слои на ионно-легированных поверхностях.

Глава III. Рост пленок и низкотемпературная эпитаксия полупроводников из ионно-молекулярных потоков

§ 1. Действие ионов на растущий кристалл. Характеристики параметров процесса осаждения

§ 2. Аппаратура и техника эксперимента по осаждению пленок и эпитаксиальных слоев из ионно-молекулярных потоков

§ 3. Основные закономерности роста пленок и эпитаксиальных слоев из ионно-молекулярных потоков

§ 4. Энергетический спектр ускоренных ионов, бомбардирующих поверхность роста, и их влияние на эпитаксиальный рост

§ 5. Зависимость начальных стадий формирования тонких пленок и эпитаксиальных слоев от температуры роста и облучения поверхности ионами

§ 6. Механизм роста эпитаксиальных слоев полупроводников из ионно-молекулярных потоков

§ 7. Легирование слоев в процессе роста из ионно-молекулярных потоков

Глава IV. Свойства и применение полупроводниковых структур, полученных ионно-активированной кристаллизацией

§ 1. Химический состав слоев. Фазовые и аллотропные переходы, стимулированные ионным пучком

§ 2. Электрофизические свойства слоев

§ 3. Солнечные элементы, полученные осаждением ионизированных кластеров

§ 4. Перспективы развития процесса осаждения из ионно-молекулярных потоков

Литература

 
© URSS 2016.

Информация о Продавце