URSS.ru - Издательская группа URSS. Научная и учебная литература
Об издательстве Интернет-магазин Контакты Оптовикам и библиотекам Вакансии Пишите нам
КНИГИ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ


 
Вернуться в: Каталог  
Обложка Топфер М. Микроэлектроника толстых пленок. Технология, конструирование, применение: Пер. с англ.
Id: 4495
 
1999 руб.

Микроэлектроника толстых пленок. Технология, конструирование, применение: Пер. с англ.

1973. 264 с. Твердый переплет. Букинист. Состояние: 5-. .

 Аннотация

За последние годы в микроэлектронике стала широко использоваться толстопленочная технология, которая имеет ряд существенных преимуществ по сравнению с господствующей тонкопленочной технологией. Большое преимущество микроэлектронных схем на толстых пленках – их технологичность.

В книге нашли отражение технологические и схемотехнические проблемы той области микроэлектроники, которая основывается на применении толстых пленок.

Рассмотрены вопросы надежности различных элементов в микросхемах.

Книга принесет большую пользу огромной армии специалистов в области электроники, вычислительной техники и приборостроения. Она будет полезна также студентам и преподавателям электро- и радиотехнических вузов.


 Предисловие редактора русского перевода

Предлагаемая вниманию книга посвящена конструированию, производству и применению толстопленочных гибридных интегральных схем (ГИС). В настоящее время в микроэлектронике используются три типа микросхем: монолитные полупроводниковые интегральные схемы, гибридные схемы на толстых и тонких пленках.Особенностью интегральных монолитных схем является то, что вся такая схема формируется в одном кристалле полупроводника (обычно кремния). При производстве ГИС основой для формирования схемы служит подложка из пассивного материала, на которую наносится тем или иным методом требуемый рисунок схемы. Тонкие пленки обычно получают напылением через маску, а толстые -- путем нанесения через трафарет и вжигания соответствующих паст на керамические подложки.Таким путем формируются лишь пассивные элементы схемы -- резисторы, конденсаторы, межсоединения, контактные площадки. Активные элементы -- диоды, транзисторы и отдельные функциональные блоки в виде некорпускулярных интегральных схем (чипов) соединяются с подложкой посредством того или иного технологического приема.Таким образом, если монолитная интегральная схема после присоединения к ней выводов и корпусирования представляет собой готовое функциональное устройство, то тонко- и толстопленочная технологии обеспечивают пассивную часть ИС. Сравнивая тонкие и толстые пленки по технологии производства, надо отметить, что для первых характерно более высокое качество (высокая чистота состава и прецизионность линий), тогда как преимущество толстых пленок состоит в их дешевизне.

Недостатки толстопленочной технологии, по видимому, сыграли отрицательную роль на определенном этапе развития микроэлектроники. Однако в дальнейшем выявились и некоторые недостатки производства монолитных интегральных схем, которые заставили заняться совершенствованием технологии и расширением производства ГИС на толстых пленках.

 
© URSS 2016.

Информация о Продавце