КНИГИ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ


 
Обложка Гиваргизов Е.И. Искусственная эпитаксия - перспективная технология элементной базы микроэлектроники
Id: 40292
 
699 руб.

Искусственная эпитаксия - перспективная технология элементной базы микроэлектроники

1988. 176 с. Мягкая обложка. ISBN 5-02-013845-2. Букинист. Состояние: 4+. Есть погашенная библиотечная печать.

Изложены основы нового направления в кристаллизации пленок---искусственной эпитаксии, позволяющей выращивать моиокристаллические пленки на аморфных подложках. Рассмотрено применение искусственной эпитаксии и родственных подходов для изготовления радиационно стойких и сверхскоростных интегральных схем, трехмерных интегральных схем, систем отображения информации, устройств функциональной электроники и др.

Для научно-технических работников, занимающихся разработкой элементной базы микроэлектроники и вычислительной техники, а также аспирантов и студентов, специализирующихся в этой области.


Оглавление

Предисловие

Введение

Глава 1. Основные представления о росте кристаллов

§ 1.1. Образование зародышей и эпитаксия

§ 1.2. Механизмы роста кристаллов

§ 1.3. Равновесные формы и формы роста кристаллов

§ 1.4. Малые частицы: размеры, структура, подвижность

Глава 2. Искусственная эпитаксия (графоэпитаксия)

§ 2.1. История проблемы

§ 2.2. Общие принципы искусственной эпитаксии.

2.2.1. Симметрия рисунка (30). 2.2.2 Углы боковых граней ячеек (35). 2.2.3 Топология поверхностного рельефа(37)

§ 2.3. Некоторые методы кристаллизации пленок, родственные искусственной эпитаксии

2.3.1. Перекристаллизация фигурным лучом (40). 2.3.2. Перекристаллизация пленочных островков (45). 2.3.3. Ориентированный рост пленок посредством геометрического отбора (54). 2.3.4. Кристаллизация пленок при симметричной активности подложек (56)

§ 2.4. Механизмы ориентации при искусственной эпитаксии

2.4.1. Ориентация под действием топографического рельефа (61). 2.4.2. Ориентация под действием капиллярных сил (83). 2.4.3. Ориентация под действием теплового рельефа (87). 2.4.4. Ориентация под действием анизотропных деформаций (124)

Глава 3. Другие методы ориентированной кристаллизации пленок на аморфных подложках

§ 3.1. «Боковая» эпитаксия

3.1.1. Кристаллизация из жидкой фазы (128). 3.1.2. Кристаллизация из твердой фазы (133)

3.1.3. Кристаллизация из паровой фазы (134).

§ 3.2. Перенос выращенных пластинок на инородную подложку

§ 3.3. Кристаллизация при подаче вещества к торцу растущей пленки

§ 3.4. Кристаллизация расплавленной пленки от локальной затравки. Методика «напечатывания»

§ 3.5. Реотаксия и квазиреотаксия

§ 3.6. Селекция затравок при каналировании ионов

Глава 4. Альтернативные методы создания структур

кремния на изоляторах

§ 4.1. Усовершенствование методов получения пленок кремния на сапфире

§ 4.2. Гетероэпитаксиальные многослойные структуры

§ 4.3. Имплантация ионов, образующих изолирующую прослойку

§ 4.4. Электрохимический подход

Глава 5. Перспективы применений полупроводниковых пленок на изолирующих подложках в микроэлектронике

§ 5.1. Улучшение характеристик ИС и удешевление их производства

§ 5.2. Трехмерные интегральные схемы

§ 5.3. Другие типы схем и приборов на основе полупроводниковых пленок на изолирующих подложках

Список литературы