URSS.ru - Издательская группа URSS. Научная и учебная литература
Об издательстве Интернет-магазин Контакты Оптовикам и библиотекам Вакансии Пишите нам
КНИГИ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ


 
Вернуться в: Каталог  
Обложка Стильбанс Л.С. Физика полупроводников
Id: 32875
 
699 руб.

Физика полупроводников

1967. 452 с. Твердый переплет. Букинист. Состояние: 4+. .

 Аннотация

Книга представляет собой систематическое рассмотрение основных разделов физики полупроводников: качественного и количественного описания строения полупроводниковых кристаллов, энергетического спектра и статистики электронов и фононов, теории явлений переноса, оптических и фотоэлектических свойств и контактных явлений.

В первой главе эти вопросы рассмотрены в качественной форме, а в последующих дается количественный анализ, но при этом везде делается упор на физическую сущность явлений; необходимые для понимания этого материала сведения из теоретической физики (квантовой механики, статистики и термодинамики) приводятся в тексте попутно с основным материалом. Вторая глава посвящена описанию основных свойств кристаллов: симметрии, характера химической связи, дефектов, тепловых колебаний и теплоемкости. В третьей главе дается представление об электронной теории кристаллов (предпосылки введения адиабатического и одно-электронного приближения, методы анализа и особенности зонной структуры полупроводников). Статистике электронов в полупроводниках посвящена четвертая глава, в которой также приведены некоторые положения термодинамики.

В пятой, шестой и седьмой главах излагаются основы теории явлений переноса (анализ кинетического уравнения, электро- и теплопроводности полупроводников, термоэлектрических, гальвано- и термомагнитных явлений). Восьмая глава посвящена теориям выпрямления на контакте металл --- полупроводник и р-п переходе, и девятая --- оптическим явлениям (поглощению света, фотопроводимости, фотовольтаическим эффектам и стимулированному излучению).

Книга рассчитана на широкий круг читателей --- инженеров, иаучных работников и студентов старших курсов технических вузов.


 Оглавление

Предисловие........................ 3

Глава первая

ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ............ 6

1. 1. Некоторые сведения о строении атома..... 6

1. 2. Энергия и движение электрона в твердом теле........................ 10

1. 3. Электропроводность полупроводников..... 36

1. 4. Теплопроводность полупроводников...... 43

1. 5. Контактные явления............. 55

1. 6. Термоэлектрические явления......... 75

1. 7. Гальваномагнитные и термомагнитные явления 83

1. 8. Фотопроводимость.............. 100

Глава вторая

СТРОЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ........................ 113

2. 1. Некоторые вопросы квантовой теории......................... 113

2. 2. Геометрия кристаллической решетки..... 147

2. 3. Дефекты в кристаллах........... 163

2. 4. Тепловые колебания кристаллов....... 174

2. 5. Теплоемкость.............. 184

Глава третья

ОСНОВНЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕОРИИ КРИСТАЛЛОВ..................................... 190

3. 1. Адиабатическое приближение........ 190

3. 2. Одноэлектронное приближение........ 194

3. 3. Приближение почти свободных электронов............... 198

3. 4. Приближение сильно связанных электронов.............. 207

3. 5. Основные особенности структуры энергетических

зон полупроводников............... 209

Глава четвертая

СТАТИСТИКА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ........ 217

4. 1. Некоторые понятия статистики и термодинамики 217

4. 2. Распределение Ферми............ 224

4. 3. Статистика невырожденного электронного газа

в полупроводниках................ 226

4. 4. Энергия электронов в зоне проводимости, вырождение....................... 235

Глава пятая

НЕКОТОРЫЕ ВОПРОСЫ ТЕОРИИ ЯВЛЕНИЙ ПЕРЕНОСА...... 224

5. 1. Элементарный расчет электропроводности и подвижности..................... 245

5. 2. Кинетическое уравнение (учет энергетической

зависимости времени релаксации)........ 260

5. 3. Феноменологический анализ явлений переноса.................... 270

5. 4. Вычисление времени релаксации....... 271

5. 5. Явления в сильных электрических полях..................... 278

Глава шестая

ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ И ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ.............. 292

6. 1. Термоэлектродвижущая сила......... 294

6. 2. Вывод коэффициента термо- э.д.с. из кинетического уравнения................. 296

6. 3. Увлечение электронов фононами....... 299

6. 4. Зависимость термо- э.д.с. от температуры и концентрации носителей............... 304

6. 5. Электронная теплопроводность........ 311

6. 6. Теплопроводность кристаллической решетки...................... 317

6. 7. Фотонная теплопроводность.......... 329

Глава седьмая

ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ И ТЕРМОМАГНИТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ..... 331

7. 1. Общие сведения............... 331

7. 2. Эффект Холла и изменение сопротивления в магнитном поле.................... 341

7. 3. Эффект Эттингсгаузена............ 350

7. 4. Гальваномагнитные явления в сильных магнитных полях.................... 351

7. 5. Термомагнитные явления........... 355

Глава восьмая

КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ....................... 362

8. 1. Особенности контактных явлений....... 362

8. 2. Контакт полупроводника и металла..... 366

8. 3. Диффузионная теория выпрямления Мотта (химический барьерный слой'на границе металла с полупроводником)................... 368

8. 4. Диодная теория Бете............. 373

8. 5. Теория физического запорного слоя (теория истощения Шоттки).................. 375

8. 6. Теория р-п перехода............. 378

Глава девятая

ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ........... 400

9. 1. Поглощение света.............. 400

9. 2. Фотопроводимость.............. 409

9. 3. Фотовольтаические эффекты.......... 421

9. 4. Циклотронный резонанс............ 426

9.' 5. Стимулированное излучение.......... 430

Литература....................... 441

Предметный указатель.................. 443

 
© URSS 2016.

Информация о Продавце