URSS.ru - Издательская группа URSS. Научная и учебная литература
Об издательстве Интернет-магазин Контакты Оптовикам и библиотекам Вакансии Пишите нам
КНИГИ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ


 
Вернуться в: Каталог  
Обложка Миз Дж., Стоун Б., Хайнс Д. и др. Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников
Id: 2436
 
599 руб.

Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников. Вып.11

1982. 264 с. Мягкая обложка. Букинист. Состояние: 4. .

 Аннотация

Книга содержит ряд докладов, прочитанных специалистами США и других стран на Второй международной конференции по НТЛ полупроводников и посвященных новой перспективной технологии введения легирующих примесей в полупроводники --- трансмутационному легированию при облучении в реакторе. Рассмотрены физические основы трансмутационного легирования (ТЛ), вопросы радиационной безопасности, техника облучения, образование дефектов и их отжиг, электрофизические и структурные свойства трансму-тационно-легированного кремния и улучшение характеристик приборов.

Предназначена для специалистов в области радиационной физики твердого тела, полупроводниковой технологии, реакторной физики и техники.

 
© URSS 2016.

Информация о Продавце