Обложка Миз Дж., Стоун Б., Хайнс Д. и др. Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников
Id: 2436
799 руб.

Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников. Вып.11

1982. 264 с.
  • Мягкая обложка

Аннотация

Книга содержит ряд докладов, прочитанных специалистами США и других стран на Второй международной конференции по НТЛ полупроводников и посвященных новой перспективной технологии введения легирующих примесей в полупроводники --- трансмутационному легированию при облучении в реакторе. Рассмотрены физические основы трансмутационного легирования (ТЛ), вопросы радиационной безопасности, техника облучения, образование дефектов и их отжиг, электрофизические ...(Подробнее)и структурные свойства трансму-тационно-легированного кремния и улучшение характеристик приборов.

Предназначена для специалистов в области радиационной физики твердого тела, полупроводниковой технологии, реакторной физики и техники.