|
Оглавление
 Предисловие Введение Глава I. Физико-химические основы, приемы и процессы литографии I. 1. Формирование слоя резиста I.2. Предэкспозиционная термообработка I. 3. Экспонирование I.3.1. Некоторые физические пределы оптического экспонирования I.3.2. Электронное излучение и электронная литография I.3.3. Рентгеновская литография I.3.4. Ионная литография I.3.5. Смешанная литография I.4. Светочувствительность, контрастность, разрешающая способность фоторезистов I.5. Проявление I. 5.1. Моделирование экспонирования и проявления I.6. Постэкспозиционная термообработка I.7. Травление подложки и снятие резиста I.8. Адгезия резистов к подложке Глава II. Позитивные фоторезисты II. 1. Системы, содержащие растворимый в основаниях полимер и создающие рельеф в результате превращений светочувствительной гидрофобной добавки II. 1.1. Хинондиазидные композиции II. 1.1.1. Строение, термо- и фотопревращения нафтохинондиазидов II. 1.1.2. Основные компоненты резистов II. 1.1.3. Модификация полимерного компонента резистов II. 1.1.4. Улучшение свойств резистного слоя II. 1.2. Композиции с веществом, генерирующим под действием света кислоту, и с циклическим ацеталем II. 1.3. Композиции с фотоокислителем и дигидропиридином II. 2. Системы, создающие рельеф в результате превращений полимера II. 2.1. Композиции с веществом, генерирующим под действием света кислоту, и с неустойчивым полимером II. 2.2. Композиции с полимером, содержащим о-нитробензильные группы II. 2.2.1. Превращения за счет боковых цепей полимеров II. 2.2.2. Превращения за счет основных цепей полимеров II. 2.2.3. Другие превращения Глава III. Негативные фоторезисты на основе ониевых солей III. 1. Диазосоединения III. 1.1. Низкомолекулярные соли диазония III. 1.2. Диазосмолы III. 1.2.1. Двухслойные композиции, дающие негативное изображение III. 1.2.2. Однослойные композиции, дающие негативное изображение III. 1.2.3. Композиции, дающие позитивное изображение III. 2. Ониевые соли как источники кислот Льюиса или Бренстеда III. 2.1. Соли диазония III. 2.2. Соли мероцианиновых красителей III. 2.3. Ониевые соли элементов V, VI, VII групп с комплексными анионами III. 2.3.1. Пути фоторазложения III. 2.3.2. Композиции светочувствительных слоев Глава IV. Негативные азидсодержащие фоторезисты
IV. 1. Фотохимические свойства арилазидов
IV. 2. Олеофильные арилазиды в фоторезистах
IV. 3. Водорастворимые арилазиды в фоторезистах
IV. 4. Фоторезисты на основе азидополимеров
Глава V. Негативные фоторезисты на основе поливинилциннаматов и других циклодимеризующихся систем
V. 1. Составы на основе поливинилциннаматов
V. 2. Другие циклодимеризующиеся полимерные системы
Глава VI. Фоторезисты различного назначения
VI. 1. Фоторезисты для коротковолнового УФ-света
VI. 1.1. Позитивные фоторезисты
VI. 1.2. Негативные фоторезисты
VI. 2. Сухие фоторезисты
VI. 3. Термостойкие фоторезисты
VI. 4. Фоторезисты-диффузанты
VI. 5. Системы с переносом рельефного изображения
VI. 6. Светочувствительные слои для печатных форм офсета без увлажнения
Глава VII. Резисты, чувствительные к электронному и рентгеновскому излучению
VII. 1. Особенности распространения электронного излучения в полимерных слоях
VII. 2. Структурирование и деструкция полимеров под действием ионизирующего излучения
VII. 2.1. Чувствительность полимеров к ионизирующему излучению
VII. 2.2. Механизмы превращения полимеров
VII. 2.2.1. Диеновые полимеры
VII. 2.2.2. Полимеры акриловой и метакриловой кислот и их производных
VII. 2.2.3. Полиолефины, полиолефинсульфоны
VII. 2.2.4. Полимеры на основе стирола и винилацетата
VII. 3. Технологические разработки резистов
VII. 3.1. Особенности оценки литографических параметров
VII. 3.2. Электронорезисгы
VII. 3.2.1. Негативные резисты
VII. 3.2.2. Позитивные резисты
VII. 3.3. Рентгенорезисты
VII. 3.4. Неорганические резисты
Глава VIII. Многослойные резистные системы
Приложение. Промышленные фоторезисты
Литература
|