URSS.ru - Издательская группа URSS. Научная и учебная литература
Об издательстве Интернет-магазин Контакты Оптовикам и библиотекам Вакансии Пишите нам
КНИГИ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ


 
Вернуться в: Каталог  
Обложка Ястребов Л.И., Кацнелъсон А.А. Основы одноэлектронной теории твердого тела
Id: 116561
 

Основы одноэлектронной теории твердого тела

1981. 320 с. Твердый переплет. Букинист. Состояние: 4+. .
Обращаем Ваше внимание, что книги с пометкой "Предварительный заказ!" невозможно купить сразу. Если такие книги содержатся в Вашем заказе, их цена и стоимость доставки не учитываются в общей стоимости заказа. В течение 1-3 дней по электронной почте или СМС мы уточним наличие этих книг или отсутствие возможности их приобретения и сообщим окончательную стоимость заказа.

 Аннотация

Монография посвящена изложению основ современной квантовой теории твердого тела с помощью языка псевдопотенциала. Показано, что идеи псевдопотенциала появляются как естественное следствие применения квантовомеханической теории рассеяния (излагаемой в книге) к проблеме взаимодействия электрона с атомом (ионом). Особое внимание уделено принципам построения кристаллических потенциалов и теории экранирования. На языке псевдопотенциала рассмотрены основные положения зонной теории и проанализирована связь между теорией псевдопотенциала и основными методами расчета энергетической зонной структуры (ОПВ, ППВ, ККР, ККРЗ). В качестве примера использования теории псевдопотенциала обсуждено ее применение к одной из актуальных задач теории фазовых превращений --- проблеме сравнительной устойчивости кристаллических структур металлов и сплавов. На широком материале показаны возможности теории псевдопотенциалов в этом аспекте.


 Оглавление

Предисловие

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. Основные положения одноэлектронной теории

Часть 1

ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МЕТОДА ПСЕВДОПОТЕНЦИАЛОВ

Глава 2. Теория рассеяния для «твердотельщиков»

§ 1. Математический аппарат

§ 2. Рассеяние на изолированном потенциале

§ 3. Псевдизм и рассеяние

§ 4. Связанные состояния, сходимость рядов и псевдопотенциалы

§ 5. Формфакторы потенциала и теория рассеяния

Глава 3. Теория потенциала

§ 6. Потенциал электрона в атоме

§ 7. Диэлектрическое экранирование

§ 8. Самосогласованность потенциала и аддитивное экранирование

§ 9. Ячеечное приближение для потенциала

§ 10. Среднее значение экранированного потенциала

Глава 4. Теория формфакторов псевдопотенциалов

§ 11. Нелокальность, энергетическая зависимость формфакторов и теория возмущений

§ 12. Формфактор метода ортогонализованных плоских волн (ОПВ)

§ 13. Фазово-сдвиговые формфакторы

§ 14. Эффективная среда и формфакторы псевдопотенциала

Глава 5. Секулярные уравнения для расчета зонной структуры и псевдизм

§ 15. Метод функции Грина (метод ККР)

§ 16. Псевдопотенциальные секулярные уравнения

Часть 2

ПРИМЕНЕНИЕ ТЕОРИИ ПСЕВДОПОТЕНЦИАЛА

ДЛЯ РАСЧЕТА ЭНЕРГИИ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СТРУКТУР

Глава 6. Теория расчета энергии кристаллических структур

§ 17. Исходные положение

§ 18. Энергия зонной структуры одно- и двухкомпопентных кристаллов

§ 19. Электростатическая энергия

§ 20. Полная внутренняя энергия сплава во втором порядке теории возмущений и в локальном приближении

§ 21. Учет высших порядков теории возмущений

§ 22. ОПВ-нелокальная теория сплавов

Глава 7. Применение псевдопотенциальной теории сплавов для анализа стабильности кристаллических структур

§ 23. Объяснение границ фаз с помощью теории псевдопотенциала

§ 24. Анализ структуры упорядоченных фаз и областей их существования

§ 25. Проблема ближнего порядка

§ 26. Анализ стабильности кристаллических структур сплавов на основе ОПВ-теории

Глава 8. Дефекты в кристаллах --- учет в псевдопотенциалыюй теории

§ 27. Вводные положения

§ 28. Колебания атомов кристаллической решетки

§ 29. Статические дефекты

Литература

 
© URSS 2016.

Информация о Продавце