URSS.ru - Издательская группа URSS. Научная и учебная литература
Об издательстве Интернет-магазин Контакты Оптовикам и библиотекам Вакансии Пишите нам
КНИГИ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ


 
Вернуться в: Каталог  
Обложка Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов
Id: 115740
 
1399 руб.

Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов

1982. 352 с. Твердый переплет. Букинист. Состояние: 4+. Есть погашенная библиотечная печать.

 Аннотация

Учебник предназначен для студентов вузов, обучающихся по специальностям «Полупроводники и диэлектрики», «Технология специальных материалов электронной техники», «Полупроводниковые приборы». Может быть полезен для научных работников и инженеров, занимающихся получением монокристаллов и эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов.

На современном научно-техническом уровне изложены основы термодинамики необратимых процессов и общие закономерности кинетики гомогенных и гетерогенных процессов, в которых наиболее существенное значение имеют процессы тепло- и массопереноса в неподвижной и движущейся средах. Рассмотрены процессы, получения монокристаллов и эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов, а также процессы зародышеобразования, роста кристаллов и причины возникновения дефектов структуры. Даны алгоритмы и блок-схемы для решения задач на ЭВМ.


 Оглавление

Предисловие

Раздел I

ОБЩИЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ ПРОЦЕССОВ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Глава 1. Термодинамика фазовых равновесий

§ 1.1. Основные термодинамические соотношения для растворов.

§ 1.2. Концентрационная и температурная зависимости коэффициента активности

§ 1.3. Равновесие жидкость --- твердое

§ 1.4. Равновесие жидкость --- пар

§ 1.5. Равновесия твердое --- пар и жидкость --- твердое --- пар

§ 1.6. Явления на границе раздела фаз

Глава 2. Термодинамика необратимых процессов

§ 2.1. Основные положения термодинамики необратимых процессов

§ 2.2. Приложение основных положений термодинамики необратимых процессов к процессам тепло- и массообмена

§ 2.3. Поток теплоты и массы в разбавленных растворах и бинарной смеси идеальных газов

Глава 3. Массо- и теплообмен в неподвижной среде

§ 3.1. Дифференциальные уравнения нестационарных процессов массо-и теплообмена в неподвижной среде

§ 3.2. Применение теории подобия и моделирования для решения дифференциальных уравнений теплообмена в неподвижной среде

§ 3.3. Теплопередача в стационарных условиях. Использование ЭВМ для решения задач

Глава 4. Конвективный тепло- и массообмен. Кинетика гетерогенных процессов

§ 4.1. Дифференциальные уравнения движения среды. Критерии подобия

§ 4.2. Режимы движения среды. Распределение скорости в сечении трубы при ламинарном и турбулентном движении

§ 4.3. Особенности движения разреженных газов

§ 4.4. Дифференциальные и критериальные уравнения конвективного массо- и теплообмена

§ 4.5. Явления на границе раздела фаз в процессах конвективного тепло-и массообмена. Динамический, диффузионный и тепловой пограничные слои

§ 4.6. Кинетика гетерогенных процессов

Глава 5. Основы атомно-молекулярных процессов кристаллизации

§ 5.1. Основные модели роста кристаллов

§ 5.2. Атомная структура кристаллической поверхности

§ 5.3. Начальные стадии формирования кристалла

§ 5.4. Кинетика роста кристалла

Глава 6. Передача теплоты излучением

§ 6.1. Основные закономерности теплообмена излучением

§ 6.2. Теплообмен излучением между двумя поверхностями в замкнутом пространстве

§ 6.3. Тепловые потери при наличии экранной изоляции. Алгоритм расчета на ЭВМ

Раздел II

ПРОЦЕССЫ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Глава 7. Процессы получения пленок, эпитаксиальных слоев

и монокристаллов дистилляцией и сублимацией

§ 7.1. Примеры использования процессов дистилляции и сублимации

§ 7.2. Основные закономерности процессов дистилляции и сублимации

§ 7.3. Кинетика процессов дистилляции и сублимации

§ 7.4. Молекулярная дистилляция и сублимация

§ 7.5. Кинетические особенности получения монокристаллов и эпитакси-альных слоев разлагающихся полупроводниковых соединений дистилляцией и сублимацией

Глава 8. Процессы ректификации и абсорбции

§ 8.1. Принцип действия и рабочие линии ректификационных колонн

§ 8.2. Кинетика массообмена в ректификационных колоннах различного типа

§ 8.3. Расчет процесса ректификации

§ 8.4. Ректификация многокомпонентных систем и ее расчет

§ 8.5. Рабочая линия и расчет процесса абсорбции

Глава 9. Процессы получения эпитаксиальных слоев и высокочистых элементов водородным восстановлением

§ 9.1. Основные типы процессов водородного восстановления

§ 9.2. Термодинамика процесса водородного восстановления при одновременном протекании нескольких реакций

§ 9.3. Кинетика процесса водородного восстановления. Лимитирующие стадии процесса

§ 9.4. Легирование при получении эпитаксиальных слоев и полупроводниковых кристаллов водородным восстановлением из галогенидов

Глава 10. Процессы получения эпитаксиальных слоев и монокристаллов методом химических транспортных реакций

§ 10.1. Некоторые примеры использования химических транспортных реакций для получения эпитаксиальных слоев. Термодинамическое обоснование возможности химического транспорта и очистки в процессе переноса

§ 10.2. Термодинамика процесса химического транспорта в сложных системах

§ 10.3. Кинетика процесса химического транспорта

Глава 11. Процессы кристаллизации из расплавов

§ 11.1. Основные методы кристаллизации из расплавов. Уравнения материального баланса компонентов и баланса объемов

§ 11.2. Распределение примеси в кристаллах, полученных методами нормальной направленной кристаллизации, Чохральского и зонной перекристаллизации

§ 11.3. Влияние диффузии в жидкой фазе на распределение примеси

§ 11.4. Движение расплава и эффективный коэффициент распределения примеси

§ 11.5. Влияние взаимодействия с паровой фазой на распределение примеси в кристалле

§ 11.6. Получение монокристаллов с равномерным распределением легирующей примеси по длине программированием параметров процесса

§ 11.7. Получение методом Чохральского монокристаллов с равномерным распределением примеси по длине при подпитке расплавом

§ 11.8. Тепловые процессы при росте монокристаллов

Глава 12. Процессы кристаллизации из растворов-расплавов

§ 12.1. Разновидности методов жидкофазной эпитаксии и получения монокристаллов из растворов-расплавов

§ 12.2. Кинетика кристаллизации при молекулярной диффузии в растворе-расплаве

Рекомендательный библиографический список

 
© URSS 2016.

Информация о Продавце