URSS.ru - Издательская группа URSS. Научная и учебная литература
Об издательстве Интернет-магазин Контакты Оптовикам и библиотекам Вакансии Пишите нам
КНИГИ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ


 
Вернуться в: Каталог  
Обложка Джафаров Т.Д. Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках
Id: 115471
 
1399 руб.

Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках

1991. 288 с. Мягкая обложка. ISBN 5-283-03998-6. Букинист. Состояние: 4. Есть погашенная печать расформированной библиотеки.

 Аннотация

Рассмотрены особенности явлений диффузии и дефектообразования в твердых телах под действием протонного, ионного, нейтронного, электронного и v-облучения. Обсуждены механизмы миграции примесей в полупроводниках и представлены математические основы радиационнотстимулиро-ванной диффузии. Приведены результаты излучения влияния радиационного облучения на свойства полупроводниковых структур и обобщены механизмы их деградации.

Для научных работников в области физики твердого тела и полупроводниковой электроники, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.


 Оглавление

Предисловие

Глава 1. Радгитгионно-стимулированное дефектообразование в твердых телах

1.1. Ионизирующие излучения

1.2. Параметры и характеристики ионизирующих излучений и единицы их измерения

1.3. Структурные дефекты

1.4. Механизмы взаимодействия ионизирующего излучения с твердым телом

1.5. Дефектообразование в твердом теле под действием быстрых ионов

1.6. Нейтронно-стимулированное дефектообразование в твердом теле

1.7. Нейтронное легирование полупроводников

1.8. Вторичные радиационные дефекты

1.9. Дефектообразование в твердом теле, стимулированное быстрыми электронами

1.10. Дефектообразование в твердом теле, стимулированное у-квантами

Глава 2. Особенности диффузии в полупроводниках и полупроводниковых структурах

2.1. Механизмы миграции атомов

2.2. Дефектообразование при диффузии

2.3. Влияние структурных дефектов на диффузию и растворимость

2.4. Влияние упругих деформаций на диффузию

2.5. Влияние электронно-дырочного взаимодействия на диффузию и растворимость

2.6. Влияние комплексообраэования на диффузию и растворимость

2.7. Влияние внутренних электрических полей на диффузию

2.8. Влияние контактных электрических полей гетероструктур на диффузию

2.9. Особенности диффузии в вариэонных структурах

2.10. Влияние внешних электрических полей на диффузию

Глава 3. Математические основы диффузии в полупроводника

3.1. Уравнения диффузии

3.2. Диффузия в однородных полупроводниках

3.3. Диссоциативная диффузия

3.4. Диффузия в двухфазной системе

3.5. Диффузия через тонкий слой в полуограниченную подложку

3.6. Электростимулированная диффузия

3.7. Радиационно-стимулированная диффузия

3.8. Диффузия в эпитаксиальных гомоструктурах

3.9. Термическая диффузия

3.10. Диффузия из имплантированного слоя

Глава 4. Методы исследования диффузии в полупроводниках

4.1. Методы определения параметров диффузии

4.2. Радиоизотопный метод исследования концентрационного распределения примесей

4.3. Метод вторично-ионной масс-спектрометрии

4.4. Метод спектроскопии оже-электронов

4.5. Электрические методы

4.6. Емкостные методы

4.7. Рентгенодифрактометрический метод исследования диффузии в сверхрешетках

Глава 5. Рлдиатщонно-стимулированнаядиффузия в полупроводниках

5.1. Температурная зависимость концентрации неравновесных вакансий

5.2. Механизмы радиационно-стимулированной диффузии

5.3. Концентрационные профили внедренных ионов и диффузия в имплантированных слоях

5.4. Протонно-стимулированная диффузия в полупроводниках

5.4.1. Перераспределение концентрации примесей в диффузионном слое

5.4.2. Перераспределение концентрации примесей в имплантированном слое

5.5. Механизмы протонно-стимулированной диффузии

5.6. Ионно-стимулированная диффузия

5.7. Нейтронно-стимулированная диффузия

5.8. Электронно-стимулированная диффузия

5.9 Влияние у- и рентгеновского облучения на диффузию

Глава 6. Влияние ионизирующего излучения на свойства полупроводниковых структур

6.1. Дефектообразование при изготовлении приборных структур

6.2. Механизмы деградации полупроводниковых приборов

6.3. Эффекты радиационного упорядочения полупроводниковых структур

6.4. Влияние ионизирующего излучения на деградацию диодных структур

6.5. Электростимулированное восстановление свойств облученных диодных структур

6.6. Фотостимулированная деградация полупроводниковых структур

6.7. Создание полупроводниковых приборных структур под действием лазерного излучения

Список литературы

 
© URSS 2016.

Информация о Продавце