URSS.ru - Издательская группа URSS. Научная и учебная литература
Об издательстве Интернет-магазин Контакты Оптовикам и библиотекам Вакансии Пишите нам
КНИГИ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ


 
Вернуться в: Каталог  
Обложка Эдельман Ф.Л. Структура компонентов БИС
Id: 113026
 

Структура компонентов БИС

1980. 256 с. Твердый переплет. Букинист. Состояние: 4+. .
Обращаем Ваше внимание, что книги с пометкой "Предварительный заказ!" невозможно купить сразу. Если такие книги содержатся в Вашем заказе, их цена и стоимость доставки не учитываются в общей стоимости заказа. В течение 1-3 дней по электронной почте или СМС мы уточним наличие этих книг или отсутствие возможности их приобретения и сообщим окончательную стоимость заказа.

 Аннотация

В книге рассмотрены структурные особенности компонентов БИС (больших интегральных схем) --- основы элементной базы вычислительной техники: пленок двуокиси кремния, нитрида кремния, поликристаллического кремния. Основанная в значительной степени на оригинальных исследованиях автора, книга дает представление о тесной связи совершенства строения компонентов с технологией БИС, о фазовых превращениях в пленках, контактных взаимодействиях материалов. Специально обсуждаются возможности современных методов структурного анализа, используемых для изучения компонентов и структурного сопровождения технологии БИС, а также для описания поверхности полупроводников. Рассмотрены проблемы материаловедения БИС нынешнего и будущих поколений.

Монография предназначена для научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области полупроводниковых материалов, приборов и микросхем.


 Оглавление

Предисловие

Глава 1. Пленки Si02 на кремнии

1.1. Использование Si02

1.2. Кристаллический S1O2

1.3. Пленки аморфного кремнезема (ближний порядок)

1.4. Окисление кремния. Граница кремний --- окисел

1.5. Повреждения в кремнии, возникающие при окислении, --- дефекты упаковки

1.6. Кристаллизация пленок S1O2 на кремнии

1.7. Явления, сопровождающие кристаллизацию пленок двуокиси кремния на кремнии

1.8. О влиянии имплантации ионов на структуру термической двуокиси кремния

1.9. Механические напряжения в МОП- и МНОП-структу-рах на кремнии

1.10. Взаимодействие S1O2 с металлическими пленками используемыми для токоразводки в БИС

1.11. Структура пленок окиси алюминия и алюмосиликатов, используемых в БИС

1.12. Хиллоки на алюминиевых пленочных шинах БИС Литература

Глава 2. Пленки нитрида кремния

2.1. Общие свойства. Синтез

2.2. Стехиометрический нитрид кремния

2.3. Нестехиометрический нитрид кремния

2.4. Окисление нитрида кремния, технологические дефекты

2.5. Пленки нитрида кремния и широкозонных полупроводников, полученные на поверхности монокристаллического кремния методом ионной имплантации

Литература

Глава 3. ПИК --- пленки поликристаллического кремния

3.1. Общие свойства и применение

3.2. Пиролиз силана

3.3. Зарождение ППК. Текстуры. Рекристаллизация

3.4. Низкотемпературные аморфные кремниевые пленки (АПК)

3.5. Электропроводность ППК. Легирование

3.6. Травление

3.7. Морфологические дефектвд

Литература

Глава 4. Динамика дефектов в полупроводниках и некоторые проблемы планарной технологии соединений А3В5 и германия

4.1. Микротвердость полупроводников и процесс скрайбиро-вания

4.2. Поведение дислокаций в кремнии при высокой температуре и постоянном действующем напряжении (ползучесть)

4.3. Эксперименты по внутреннему трению на германии и кремнии

4.4. Электрофизические свойства полупроводника с высокой плотностью дислокаций (антимонид индия)

4.5. Об одной неудачной попытке ввести в полупроводник однородную систему дислокаций

4.6. Наблюдение полярных граней в полупроводниках А3В5 и анализ анодного окисла на антимониде индия

4.7. О структуре окисных пленок на арсениде галлия и германии

Литература

Глава 5. Методы структурного анализа компонентов БИС

5.1. Традиционные методы

52. Новые методы

5.3. Новейшие методы

Литература

Глава 6. Десять интервью с теми, кто создает БИС

Заключение

 
© URSS 2016.

Информация о Продавце