URSS.ru - Издательская группа URSS. Научная и учебная литература
Об издательстве Интернет-магазин Контакты Оптовикам и библиотекам Вакансии Пишите нам
КНИГИ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ


 
Вернуться в: Каталог  
Обложка Пауль Р. Пауль Р. Транзисторы. Физические основы и свойства. Пер. с нем.
Id: 111702
 

Пауль Р. Транзисторы. Физические основы и свойства. Пер. с нем.

1973. 504 с. Твердый переплет. Букинист. Состояние: 4+. .
Обращаем Ваше внимание, что книги с пометкой "Предварительный заказ!" невозможно купить сразу. Если такие книги содержатся в Вашем заказе, их цена и стоимость доставки не учитываются в общей стоимости заказа. В течение 1-3 дней по электронной почте или СМС мы уточним наличие этих книг или отсутствие возможности их приобретения и сообщим окончательную стоимость заказа.

 Аннотация

Более подробно, чем в уже изданных книгах, рассматриваются принципы действия и параметры биполярных транзисторов, а также физика происходящих в них процессов. Большое внимание уделяется методам изготовления транзисторов. Подробно излагается пленарная технология. Рассматриваются комбинированные мощные высокочастотные транзисторы. Приводятся новые конструкции корпусов транзисторов. Нашли отражение и новые эффекты, возникающие в транзисторах, исследованием которых стали заниматься в последние годы.

Книга рассчитана на широкий круг специалистов, занимающихся исследоваиаием, разработкой и применением транзисторов. Она также может быть полезна научным работникам, аспирантам и студентам вузов соответствующих специальностей.


 Оглавление

Предисловие к русскому изданию........ 5

Из предисловия к первому изданию...... 7

Предисловие ко второму изданию........ 9

Важнейшие обозначения.......... 10

Часть I

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ТРАНЗИСТОРА.................................. 19

Глава I

р-п переход..............22

1.1. р-п переход в термодинамическом равновесии. Распределение потенциала в запирающем слое. Ширина запирающего слоя..........25

1.2. Смещение р-п перехода в прямом направлении................... 37

1.3. Динамические свойства р-п перехода................... 50

1.4. Влияние некоторых специфических эффектов на свойства р-п перехода............68

l.5. Явления пробоя р-п перехода..... 76

Глава 2

Без дрейфовый транзистор. Статические характеристики........... 88

2.1. Распределение концентраций носителей в кристаллических областях бездрейфового транзистора. Режимы работы транзистора.........95

2.2. Уравнения вольт-амперных характеристик транзистора....... 103

Глава 3

Динамические свойства бездрейфового транзистора................. 116

3.1. Распределение концентраций носителей и токов в областях транзистора при приложении к переходам синусоидального сигнала......... 117

3.2. Модуляция ширины запирающего слоя коллектора. Эффект Ирли...........126

3.3. Схема замещения «внутреннего» транзистора................. 132

Глава 4

Дрейфовый транзистор........ 135

4.1. Статические характеристики.......139

4.2. Динамические свойства при приложении синусоидального сигнала...........147

Глава 5

«Внешний» транзистор. Учет наличия сопротивления базы 155

Глава 6

Влияние некоторых специфических аффектов на свойства транзистора............. 165

6.1. Поверхностная рекомбинация....... 169

6.2. Генерация и рекомбинация носителей заряда в запирающих слоях транзистора....... 176

6.3. Высокий уровень инжекции....... 178

6.4. Эффект оттеснения тока к краю эмиттера.................. 194

6.5. Электрический прокол в транзисторе.......................... 196

6.6. Эффект усиления тока в коллекторе............................. 198

6.7. Тиристорный эффект......... 203

6.8. Видоизменения структуры запирающего слоя коллектора.............. 204

6.9. Эффект вытеснения 'базы эмиттером..... 206

Глава 7

Практические структуры плоскостных транзисторов 208

7.1. Исходные материалы......... 209

7.2. Методы изготовления транзисторов..... 211

7.3. Геометрические структуры транзисторов...................... 230

7.4. Конструктивное оформление транзисторов в корпусе 235

7.5. Особенности высокочастотны, мощных и импульсных транзисторов.......... 239

Часть II

ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И СВОЙСТВА ТРАНЗИСТОРОВ...... 241

Глава 8

Статические характеристики.........244

8.1. Семейства статических характеристик транзистора

в схеме с общей базой............................................. 247

8.2. Семейства статических характеристик транзистора

в схеме с общим эмиттером........259

8.3. Влияние температуры на статические характеристики 266

Глава 9

Границы практически используемой области семейства вольт-амперных характеристик.......... 274

9.1. Остаточные коллекторные токи.................................... 275

9.2. Предельные напряжения на коллекторе.................... 277

9.3. Напряжение прокола Uvt........ 278

9.4. Напряжение лавинного пробоя коллектора.................... 279

9.5. Максимальный коллекторный ток. Вторичный пробой.......... 287

9.6. Остаточное напряжение на коллекторе. Напряжение насыщения транзистора........ 293

9.7. Мощность потерь.......... 297

Глава 10

Линейные соотношения между напряжениями и токами

в транзисторе.............. 299

10.1. Параметры четырехполюсников и формальные эквивалентные схемы замещения транзисторов................. 303

10.2. Связь между элементами эквивалентных схем и параметрами четырехполюсников......306

10.3. Входные и выходные сопротивления четырехполюсников............310

10.4. Коэффициенты усиления........312

Глава 11

Параметры четырехполюсников на низких частотах........... 316

Глава 12

Частотные характеристики четырехполюсников................................. 341

Глава 13

Эквивалентные схемы замещения транзисторов..................................... 353

13.1 Схемы замещения и их физическое обоснование.......... 356

13.2. Практические схемы замещения транзистора в схеме с общей базой........... 360

13.3. Практические схемы замещения транзистора в схеме с общим эмиттером......... 362

13.4. Геометрические структуры транзисторов и их схемы замещения............ 364

13.5. Зависимость некоторых параметров схемы замещения от положения рабочей точки...... 367

Глава 14

Граничные частоты транзистора. Постоянные времени.............. 371

14.1. Граничная частота fhfb и ее зависимость от положения рабочей точки и от температуры..... 374

14.2. Граничные частоты fhfe, fr, fi...... 384

14.3. Граничная частота крутизны................................. 389

14.4. Постоянные времени транзистора..... 390

14.5. Усиление транзистором мощности. Максимальная частота генерации......... 394

Глава 15

Импульсный и ключевой режимы работы транзистора.............401

15.1. Распределение носителей в базе...... 408

15.2. Схема замещения для импульсного и ключевого ре: жима работы........... 415

15.3. Ключевые свойства транзистора в схеме с общим эмиттером при омической нагрузке..... 417

15.4. Процессы включения и выключения транзистора........ 420

15.5. Транзистор как элемент, управляемый зарядом.......... 428

15.6. Мощные и импульсные транзисторы..... 436

Глава 16

Шумы................ 443

16.1. Коэффициент шума- четырехполюсника.................... 444

16.2. Физические причины шумов................................. 448

il6.3. Избыточный шум.......... 451

16.4. Дробовый шум......... 454

16.5. Коэффициент шума и его физический смысл............ 460

16.6. Шумы кремниевых транзисторов. Шумы при высоком уровне инжекции. Шум неизотермического

эффекта............. 464

Глава 17

Проблемы тепловых явлений в транзисторе..... 468

17.1. Температура запирающего слоя и потери мощности 469

17.2. Тепловая схема замещения транзистора................ 486

17.3. Неизотермический эффект (Mitlaufeffekt *')..................... 492

Предметный указатель........... 498

 
© URSS 2016.

Информация о Продавце