URSS.ru - Издательская группа URSS. Научная и учебная литература
Об издательстве Интернет-магазин Контакты Оптовикам и библиотекам Вакансии Пишите нам
КНИГИ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ


 
Вернуться в: Каталог  
Обложка Коллектив авторов Труды ФТИАН. Т.20: Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование
Id: 108439
 
399 руб.

Труды ФТИАН. Т.20: Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование. Т.20

2009. 247 с. Мягкая обложка. ISBN 978-5-02-036976-4.

 Аннотация

Сборник, посвященный 20-летию Физико-технологического института РАН, включает в себя статье по актуальным проблемам микро- и наноэлектроники, микро- и наноэлектромеханики и твердотельных квантовых компьютеров. Рассмотрены перспективы реализации полномасштабных квантовых компьютер ров на ионных ловушках в твердотельных структурах, проанализирован перенос электрона в одномерных многоямных структурах. Особое внимание уделено важнейшим вопросам физики и моделирования нанотранзисторов (кремниевые в ультратонком кремнии на изоляторе, туннельные, с графеновым каналом и др.). Исследованы межподзонные оптические переходы в структурах с разрывом запрещенной зоны. Представлены статьи по моделированию электромиграционного разрушения тонкопленочных проводит ков, прочности границы соединенных материалов в зависимости от их микроструктуры и содержание точечных дефектов, моделированию каналов нейтрализации источников пучков быстрых нейтралов, дается обзор плазменных процессов в технологии МЭМС.

Для специалистов в области микро- и наноэлектроники.


 Оглавление

20 лет Физико-технологическому институту РАН (ФТИАН) (А.А. Орликовский)

К.А. Валиев, А.А. Кокин. Перспективы реализации полномасштабных квантовых компьютеров на ионных ловушках в твердотельных структурах

A. В. Цуканов. Резонансный перенос электрона в одномерных многоямных структурах

И.А. Семеншин, А.А. Захарова, К.А. Чао. Межподзонные оптические переходы в структурах с разрывом запрещенной зоны

B. В. Вьюрков, В.Ф. Лукичев, А.А. Орликовский, И.А. Семенихин, А.Н. Хомяков. Эволюция моделей транзистора: от классических к квантовым

Т.М. Махвиладзе, М.Е. Сарычев. Теория электромиграционного разрушения тонкопленочных проводников и ее приложения

Т.М. Махвиладзе, М.Е. Сарычев. Термодинамический анализ прочности границы соединенных материалов в зависимости от их микроструктуры и содержания точечных дефектов

А.В. Дегтярев, В.П. Кудря, Ю.П. Маишев. Математическое моделирование канала нейтрализации источника пучков быстрых нейтральных частиц

И.И. Амиров, О.В. Морозов, А.В. Постников, В.А. Калънов, А.А. Орликовский, К.А. Валиев. Плазменные процессы глубокого травления кремния в технологии микросистемной техники

 
© URSS 2016.

Информация о Продавце