URSS.ru - Издательская группа URSS. Научная и учебная литература
Об издательстве Интернет-магазин Контакты Оптовикам и библиотекам Вакансии Пишите нам
КНИГИ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ


 
Вернуться в: Каталог  
Обложка Кобболд P. Теория и применение полевых транзисторов: Пер. с англ.
Id: 108304
 

Теория и применение полевых транзисторов: Пер. с англ.

1975. 304 с. Твердый переплет. Букинист. Состояние: 4+. .
Обращаем Ваше внимание, что книги с пометкой "Предварительный заказ!" невозможно купить сразу. Если такие книги содержатся в Вашем заказе, их цена и стоимость доставки не учитываются в общей стоимости заказа. В течение 1-3 дней по электронной почте или СМС мы уточним наличие этих книг или отсутствие возможности их приобретения и сообщим окончательную стоимость заказа.

 Аннотация

Книга охватывает широкий круг вопросов, начиная от физических принципов работы полевых приборов различных типов (транзисторов с управляющим р---n-переходом, МОП-транзисторов, пленочных полевых транзисторов) и кончая методами расчета электронных схем, выполненных на этих приборах. Вопросы теории сопоставлены с данными исследований работы реальных устройств, рассмотрены ограничения, определяемые особенностями технологии изготовления.

Книга может быть рекомендована широкому кругу читателей: специалистам по физике полупроводниковых приборов, микроэлектронике, полупроводниковой схемотехнике, а также в качестве учебного пособия студентам старших курсов вузов и аспирантам.


 Оглавление

Предисловие автора

Часть 1. ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРС

Глава 1. Введение

1.1 Исторический обзор

1.2. Физические принципы

1.2.1. Полевой транзистор с управляющим р --- n-переходом (ПТУП)

1.2.2. Транзисторы со структурой металл --- диэлектрик --- полупроводник (МДП)

1.2.3. Пленочные полевые транзисторы (ППТ)

Глава 2. Изготовление полевых транзисторов

2.1. Материалы

2.2. Технология

2.3. Транзисторы с управляющим р --- n-переходом

2.3.1. Сплавные ПТУП

2.3.2. Диффузионный транзистор

2.3.3. Эпитаксиально-диффузионный транзистор

2.3.4. Эпитаксиально-диффузионный транзистор с изоляцией

2.3.5. Эпитаксиально-диффузионный транзистор для интегральных схем

2.3.6. Многоканальные транзисторы

2.3.7. Приборы, полученные боковой диффузией

2.4. МОП-транзисторы

2.4.1. Транзисторы с индуцированным каналом

2.4.2. Транзисторы со встроенным каналом

2.5. Пленочные полевые транзисторы

Часть 2. ТЕОРИЯ И СВОЙСТВА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Глава 3. Статические и низкочастотные характеристики полевых транзисторов с управляющим р---n переходом

3.1. Трехэлектродный ПТУП с резкими переходами

3.1.1. Случай нулевого напряжения сток --- исток

3.1.2. Общий случай

3.2. Общая теория ПТУП с двумя затворами

3.2.1. Ток стока

3.2.2. Крутизна и выходная проводимость

3.3. Транзистор с резкими р --- n-переходами

3.3.1. Толщины обедненных областей и ток стока

3.3.2. Крутизна и выходная проводимость

3.4. Транзистор с линейным распределением примесей

3.5. Влияние сильного электрического поля

3.5.1. Зависимость подвижности от поля

3.5.2. Общая теория

3.5.3. Трехэлектродный симметричный ПТУП с резкими переходами

3.6. Сопротивление стока

3.7. Температурные эффекты

3.7.1. Ток затвора

3.7.2. Влияние температуры на канал

Глава 4. Анализ полевого транзистора с управляющим р---n-переходом как прибора, управляемого зарядом

4.1. Зарядовая модель полевого транзистора

4.2. Обобщенные уравнения для заряда и емкости

4.2.1. Статический зарядовый анализ произвольно легированных структур

4.2.2. Динамические модели

4.3. Зарядовые и емкостные характеристики симметричного ПТУП с резкими переходами

4.4 Емкость затвор --- сток в области насыщения

Глава 5. Высокочастотные свойства полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при малом сигнале

5.1. Уравнение для малого сигнала

5.1.1. Общий случай

5.1.2. Уравнения для трехэлектродного режима работы

5.1.3. Решение для случая сильно легированных затворов

5.2. y-параметры для схемы с общим истоком

5.2.1. y-параметры активной области

5.2.2. Первое приближение

5.2.3. Второе приближение

5.3. Полная эквивалентная схема прибора

Глава 6. Свойства структур металл---окисел---полупроводник

6.1. Идеализированная МОП-структура

6.2. Реальные структуры

6.2.1. Поверхностные состояния

6.2.2. Объемный заряд окисла

6.2.3. Эквивалентный поверхностный заряд

6.3. Низкочастотная теория МОП-структуры

6.3.1. Заряды и потенциалы в полупроводнике

6.3.2. Заряд инверсионного слоя и эффективная толщина обедненной. области

6.4. Емкость МОП-структуры

6.5. Поверхностная проводимость

6.6. Квазиравновесные условия

Глава 7. Статическая теория инверсионного МОП-транзистора

7.1. Стоковые характеристики

7.2. Крутизна управления по затвору и по подложке

7.3. Проводимость сток --- исток

7.3.1. Электростатическая модель

7.3.2. Эффект укорочения канала

7.4. Температурные эффекты

7.5. Электрический пробой

Глава 8. Зарядовые, емкостные и высокочастотные свойства МОП-транзисторов

8.1. Зарядовые характеристики активной области

8.2. Эквивалентная схема активной области при малом сигнале

8.3. Емкостные характеристики

8.3.1. Вывод уравнений для емкостных компонент

8.3.2. Емкостные характеристики активной области

8.4. Полная модель прибора

8.5. Высокочастотные свойства при малом сигнале

Глава 9. Шумы в полевых транзисторах

9.1. Введение

9.1.1. Характеристики шумов

9.1.2. Корреляция

9.1.3. Генерационно-рекомбинационные процессы с участием глубоких уровней

9.2. Шумы транзистора с управляющим р--- n-переходом

9.2.1. Тепловой шум канала

9.2.2. Шумы затвора

9.2.3. Генерационно-рекомбинационный шум

9.3. Шумы МОП-транзисторов

9.3.1. Тепловые шумы канала

9.3.2. Индуцированный шум затвора

9.3.3. Генерационно-рекомбинационный шум

9.4. Шумовые характеристики усилительных схем

9.4.1. Коэффициент шума

9.4.2. Низкочастотное приближение

9.4.3. Коэффициент шума на высоких частотах

Часть 3. ПРИМЕНЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Глава 10. Основные электронные схемы с использованием полевых транзисторов

10.1. Малосигнальные параметры основных схем включения ПТ

10.1.1 Схема с общим истоком

10.1.2. Схема с общим стоком

10.1.3. Схема с общим затвором

10.2. Полевой транзистор в качестве нагрузочного резистора

10.3 Источник тока на полевом транзисторе

10.4 Усилители

10.4.1. Широкополосный усилитель переменного напряжения на МОП-транзисторах

10.4.2. Основные схемы гибридных усилителей

10.4.5 Дифференциальные усилители

Глава 11. Применение полевых транзисторов в технике связи

Некоторые сведения из теории резонансных усилителей

11.1.1. Стабильность и усиление

11.1.2. Искажение сигнала

11.2. Радиочастотные усилители по схемам с общим истоком и общим затвором

11.3. Каскодные усилители

11.3.1. Основные свойства

11.3.2. Интегральный каскод (тетрод)

11.4. Смесители на полевых транзисторах

Глава 12. Интегральные схемы на МОП-транзисторах в цифровой вычислительной технике

12.1. Логика с интегральной нагрузкой (ИНЛ)

12.1.1. Переходные характеристики

12.1.2. Логические ячейки

12.1.3. Триггеры

12.2. Логика с дополнительной симметрией (ДСЛ)

12.2.1. Время переключения

12.2.2. Логические ячейки

12.3. Многотактная динамическая логика

12.4. Системы памяти

Глава 13. Другие применения полевых транзисторов

13.1. Полевые транзисторы в схемах коммутации

13.1.1. Переключатели на транзисторах с управляющим р ---n-переходом

13.1.2. Переключатели на МОП-транзисторах

13.2. Применение полевых приборов в качестве управляемых напряжением резисторов

13.2.1. Характеристики

13.2.2. Аттенюаторы, управляемые напряжением

13.2.3. Множительно-делительные устройства

13.2.4. Управление активными фильтрами

13.3. Электрометры

13.4. Зарядочувствительные усилители для полупроводниковых детекторов ядерных частиц

Приложение 1

Приложение 2

Приложение 3

Приложение 4

Список литературы

 
© URSS 2016.

Информация о Продавце