URSS.ru - Издательская группа URSS. Научная и учебная литература
Об издательстве Интернет-магазин Контакты Оптовикам и библиотекам Вакансии Пишите нам
КНИГИ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ


 
Вернуться в: Каталог  
Обложка Пасынков В.В. я др. Полупроводниковые приборы
Id: 107136
 

Полупроводниковые приборы. Изд.2, перераб.

1973. 398 с. Твердый переплет. Букинист. Состояние: 4. Есть погашенная библиотечная печать.
Обращаем Ваше внимание, что книги с пометкой "Предварительный заказ!" невозможно купить сразу. Если такие книги содержатся в Вашем заказе, их цена и стоимость доставки не учитываются в общей стоимости заказа. В течение 1-3 дней по электронной почте или СМС мы уточним наличие этих книг или отсутствие возможности их приобретения и сообщим окончательную стоимость заказа.

 Аннотация

В книге изложены принципы действия полупроводниковых при-, боров --- диодов, транзисторов, резисторов, фоточувствительных и из-лучательных приборов и др.; рассмотрены основные», виды приборов каждого типа; кратко описана конструкция и технология их изготовления; приведены электрические характеристики и указаны области применения приборов.


 Оглавление

Предисловие ко второму изданию

Введение

§ В. 1. Электронно-дырочный переход

§ В. 2. Методы создания электронно-дырочных переходов

§ В. 3. Распределение потенциала в области объемного заряда электронно-дырочного перехода

§ В. 4. Контакт между полупроводниками с одинаковыми типами электропроводности

§ В. 5. Контакт металл --- полупроводник

§ В. 6. Гетеропереходы

§ В. 7. Свойства невыпрямляющих контактов

Глава первая. Полупроводниковые диоды

§ 1.1. Структура и основные элементы

§ 1. 2. Вольт-амперные характеристики

§ 1.3. Токи, обусловленные диффузией носителей заряда

§ 1. 4. Генерация и рекомбинация носителей в области объемного заряда

§ 1. 5. Электрический пробой электронно-дырочного перехода

§ 1. 6. Вольт-амперная характеристика с учетом тепловыделения

§ 1.7. Влияние поверхностных явлений на вольт-амперную характеристику

§ 1. 8. Процессы в полупроводниковых диодах при больших прямых токах

§ 1.9. Вольт-амперная характеристика при больших токах

§ 1.10. Емкость диода

§ 1.11. Переходные процессы в полупроводниковых диодах

§ 1.12. Выпрямительные плоскостные диоды

§ 1.13. Селеновые выпрямители

§ 1.14. Выпрямительные точечные высокочастотные диоды и импульсные диоды

§ 1.15. Плоскостные диоды с выпрямлением на контакте металл --- полупроводник

§ 1.16. СВЧ диоды

§ 1.17. Кремниевые стабилитроны и стабисторы

§ 1.18. Инвертирование диодов

§ 1.19. Лавинно-пролетные диоды

§ 1.20. Туннельные диоды

§ 1.21. Обращенные диоды

§ 1.22. Варикапы

§ 1.23. Надежность полупроводниковых диодов

Глава вторая. Транзисторы

§ 2. 1. Структура и основные режимы работы

§. 2. 2. Распределение стационарных потоков носителей

§ 2. 3. Распределение носителей заряда

§ 2. 4. Значения постоянных токов при активном режиме

§ 2. 5. Явления в транзисторах при больших токах

§ 2. 6. Статические параметры

§ 2. 7. Пробой транзисторов

§ 2. 8. Статические характеристики

§ 2. 9. Работа транзистора на малом переменном сигнале

§ 2.10. Малосигнальные параметры

§ 2.11. Эквивалентные схемы

§ 2.12. Эквивалентная схема одномерной теоретической модели

§ 2.13. Барьерные емкости переходов и сопротивление базы

§ 2.14. Частотные характеристики

§ 2.15. Работа транзистора на импульсах

§ 2.16. Шумы в транзисторах

§ 2.17. Низкочастотные маломощные транзисторы

§ 2.18. Высокочастотные маломощные транзисторы

§ 2.19. Мощные транзисторы

§ 2.20. Надежность транзисторов

Глава третья. Тиристоры

§ 3.1. Структура и принцип действия

§ 3. 2. Способы переключения

§ 3. 3. Конструкция и технология изготовления

§ 3. 4. Параметры и характеристики

Глава четвертая. Полевые транзисторы

§ 4 1. Принцип действия и конструкции полевых транзисторов с /э-я-переходом в качестве затвора

§ 4. 2. Статические характеристики полевого транзистора с p-n-переходом в качестве затвора

§ 4. 3. Основные параметры

§ 4. 4. Расчет выходных статических характеристик

§ 4. 5. Эквивалентные схемы

§ 4. 6. Частотные свойства

§ 4. 7. Полевые транзисторы с изолированным затвором

Глава пятая. Полупроводниковые приборы с использованием объемной неустойчивости

§ 5. 1. Принцип действия

§ 5. 2. Технология изготовления генераторов Ганна

§ 5. 3. Свойства и параметры генераторов Ганна

§ 5. 4. Генераторы с ограничением накопления пространственного заряда

Глава шестая. Полупроводниковые приборы, реагирующие на излучения

§ 6. 1. Фоторезисторы

§ 6. 2. Датчики проникающего излучения на основе поликристаллических полупроводников

§ 6. 3. Фотоэлектрические приборы с воздействием света на электронно-дырочный переход

§ 6. 4. Корпускулярно-преобразовательные приборы

Глава седьмая. Полупроводниковые излучающие приборы

§ 7. 1. Электролюминесцентные порошковые и пленочные излучатели

§ 7. 2. Светодиоды

§ 7. 3. Лазеры

Глава восьмая. Термисторы

§ 8. 1. Принцип действия термисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления

§ 8. 2. Основные параметры и характеристики термисторов прямого подогрева

§ 8. 3. Технология изготовления, конструкция и применение -термисторов прямого подогрева

§ 8. 4. Болометры

§ 8. 5. Термисторы косвенного подогрева

§ 8. 6. Позисторы

Глава девятая Варисторы

§ 9. 1. Принцип действия

§ 9. 2. Технология изготовления и конструкция

§ 9. 3. Основные параметры, расчет,.свойства и применение

Глава десятая. Полупроводниковые термоэлектрические приборы

§ 10. 1. Принцип действия

§ 10. 2. Термоэлектрические генераторы

§ 10. 3. Термоэлектрические холодильники и подогреватели

Глава одиннадцатая. Датчики э. д. с. Холла

§ 11. 1. Принцип действия

§ 11. 2. Технология изготовления и конструкция

§ 11. 3. Основные параметры и свойства

Глава двенадцатая. Тензочувствительные полупроводниковые приборы

§ 12. 1. Полупроводниковые тензорезисторы

§ 12. 2. Тензодиоды и поликристаллические тензорезисторы

Литература

Приложения

Обозначения основных величин, принятые в книге

 
© URSS 2016.

Информация о Продавце