|
Оглавление
 Предисловие ко второму изданию Введение § В. 1. Электронно-дырочный переход § В. 2. Методы создания электронно-дырочных переходов § В. 3. Распределение потенциала в области объемного заряда электронно-дырочного перехода § В. 4. Контакт между полупроводниками с одинаковыми типами электропроводности § В. 5. Контакт металл — полупроводник § В. 6. Гетеропереходы § В. 7. Свойства невыпрямляющих контактов Глава первая. Полупроводниковые диоды § 1. 1. Структура и основные элементы § 1. 2. Вольт-амперные характеристики § 1.3. Токи, обусловленные диффузией носителей заряда § 1. 4. Генерация и рекомбинация носителей в области объемного заряда § 1. 5. Электрический пробой электронно-дырочного перехода § 1. 6. Вольт-амперная характеристика с учетом тепловыделения § 1. 7. Влияние поверхностных явлений на вольт-амперную характеристику § 1. 8. Процессы в полупроводниковых диодах при больших прямых токах § 1. 9. Вольт-амперная характеристика при больших токах § 1.10. Емкость диода § 1.11. Переходные процессы в полупроводниковых диодах § 1.12. Выпрямительные плоскостные диоды § 1.13. Селеновые выпрямители § 1.14. Выпрямительные точечные высокочастотные диоды и импульсные диоды § 1.15. Плоскостные диоды с выпрямлением на контакте металл — полупроводник § 1.16. «СВЧ диоды § 1.17. Кремниевые стабилитроны и стабисторы § 1.18. Инвертирование диодов § 1.19. Лавинно-пролетные диоды § 1.20. Туннельные диоды § 1.21. Обращенные диоды § 1.22. Варикапы § 1.23. Надежность полупроводниковых диодов Глава вторая. Транзисторы § 2. 1. Структура и основные режимы работы § 2. 2. Распределение стационарных потоков носителей § 2. 3. Распределение носителей заряда
§ 2. 4. Значения постоянных токов при активном режиме
§ 2. 5. Явления в транзисторах при больших токах
§ 2. 6. Статические параметры
§ 2. 7. Пробой транзисторов
§ 2. 8. Статические характеристики
§ 2. 9. Работа транзистора на малом переменном сигнале
§ 2.10. Малосигнальные параметры
§ 2.11. Эквивалентные схемы
§ 2.12. Эквивалентная схема одномерной теоретической модели
§ 2.13. Барьерные емкости переходов и сопротивление базы
§ 2.14. Частотные характеристики
§ 2.15. Работа транзистора на импульсах
§ 2.16. Шумы в транзисторах
§ 2.17. Низкочастотные маломощные транзисторы
§ 2.18. Высокочастотные маломощные транзисторы
§ 2.19. Мощные транзисторы
§ 2.20. Надежность транзисторов
Глава третья. Тиристоры
§ 3.1. Структура и принцип действия
§ 3. 2. Способы переключения
§ 3. 3. Конструкция и технология изготовления
§ 3. 4. Параметры и характеристики
Глава четвертая. Полевые транзисторы
§ 4 1. Принцип действия и конструкции полевых транзисторов с р-я-переходом в качестве затвора
§ 4. 2. Статические характеристики полевого транзистора с р-я-переходом в качестве затвора...... :
§ 4. 3. Основные параметры
§ 4. 4. Расчет выходных статических характеристик
§ 4. 5. Эквивалентные схемы
§ 4. 6. Частотные свойства
§ 4. 7. Полевые транзисторы с изолированным затвором
Глава пятая. Полупроводниковые приборы с использованием объемной неустойчивости
§ 5. 1. Принцип действия
§ 5. 2. Технология изготовления генераторов Ганна
§ 5. 3. Свойства и параметры генераторов Ганна
§ 5. 4. Генераторы с ограничением накопления пространственного заряда
Глава шестая. Полупроводниковые приборы, реагирующие на излучения
§ 6. 1. Фоторезисторы
§ 6. 2. Датчики проникающего излучения на основе поликристаллических полупроводников
§ 6. 3. Фотоэлектрические приборы с воздействием света на электронно-дырочный переход
§ 6. 4. Корпускулярно-преобразовательные приборы
Глава седьмая. Полупроводниковые излучающие приборы
§ 7. 1. Электролюминесцентные порошковые и пленочные излучатели
§ 7. 2. Светодиоды
§ 7. 3. Лазеры
Глава восьмая. Термисторы
§ 8. 1. Принцип действия термисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления
§ 8. 2. Основные параметры и характеристики термисторов прямого подогрева
§ 8. 3. Технология изготовления, конструкция и применение термисторов прямого подогрева
§ 8. 4. Болометры
§ 8. 5. Термисторы косвенного подогрева
§ 8. 6. Позисторы
Глава девятая. Варисторы
§ 9. 1. Принцип действия
§. 9. 2. Технология изготовления и конструкция
§ 9. 3. Основные параметры, расчет, свойствами применение
Глава десятая. Полупроводниковые термоэлектрические приборы
§ 10. I. Принцип действия
§ 10. 2. Термоэлектрические генераторы
§ 10. 3. Термоэлектрические холодильники и подогреватели
Глава одиннадцатая. Датчики э. д. с. Холла
§ 11. 1. Принцип действия
§ 11. 2. Технология изготовления и конструкция
§ 11. 3. Основные параметры и свойства
Глава двенадцатая. Тензочувствительные полупроводниковые приборы
§ 12. 1. Полупроводниковые тензорезисторы
§ 12. 2. Тензодиоды и поликристаллические тензорезисторы
Литература
Приложения
Обозначения основных величин, принятые в книге
|