URSS.ru - Издательская группа URSS. Научная и учебная литература
Об издательстве Интернет-магазин Контакты Оптовикам и библиотекам Вакансии Пишите нам
КНИГИ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ


 
Вернуться в: Каталог  
Обложка Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вавилов В.А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы
Id: 104341
 
2999 руб.

Воздействие радиации на интегральные микросхемы

1986. 254 с. Твердый переплет. Букинист. Состояние: 4. Есть погашенная библиотечная печать.

 Аннотация

В монографии обобщены результаты исследований советских и зарубежных ученых, полученные при изучении воздействия проникающей радиации на интегральные микросхемы и их элементы. Рассматриваются радиационные нарушения в интегральных микросхемах на основе биполярных и униполярных транзисторов, при этом учитываются как радиационные изменения свойств полупроводниковых материалов, так и процессы в отдельных элементах микросхем.

Предназначена для специалистов в области полупроводниковой техники, радиоэлектроники и радиационной физики твердого тела. Будет полезна также аспирантам и студентам старших курсов вузов указанного направления.


 СОДЕРЖАНИЕ

Введение

Глава 1

Образование радиационных нарушений в твердых телах при их облучении.......

§1.1. Пороговая энергия образования радиационных дефектов. § 1.2. Смещения атомов под действием нейтронов и протонов § 1.3. Образование дефектов смещения под действием быстрых электронов и гамма-квантов.............

§ 1.4. Области разупорядочения...........

§ 1.5. Возбуждение неравновесных электронов и дырок.... § 1.6. Ток ионизации в р---я-переходе.........

Глава 2

Изменение свойств кремния и арсенида галлия под действием облучения........

§ 2.1. Радиационные дефекты в кремнии и арсениде галлия.

§ 2.2. Влияние радиации на свойства кремния......

§ 2.3. Изменение свойств арсенида галлия........

§ 2.4. Радиационные эффекты в полупроводниках под действием малых доз облучения..............

Глава 3

Влияние облучения на элементы биполярных интегральных микросхем........

§ 3.1. Воздействие облучения на биполярные транзисторы

§ 3.2. Транзистор, работающий в режиме ключа в условиях облучения

§ 3.3. Радиационные характеристики р---«-переходов и диодов Шотки

§ 3.4. Влияние радиации на резисторы........

§ 3.5. Обратимые ионизационные эффекты в элементах интегральных микросхем...............

Глава 4

Влияние облучения на биполярные интегральные микросхемы...........

§4.1. Общие сведения о радиационной стойкости интегральных мик-

росхем................:

§ 4.2. Воздействие радиации на интегральные микросхемы ТТЛ- и

ТТЛШ-типа................

§ 4.3. Радиационные нарушения в интегральных микросхемах ЭСЛ-

типа..................

§ 4.4. Характеристики интегральных микросхем И2Л-типа при их облучении.................

§ 4.5. Изменение параметров аналоговых интегральных микросхем

под действием радиации............

§ 4.6. Влияние ионизирующих излучений на микросхемы на основе

арсенида галлия..............

§ 4.7. Воздействие импульсного ионизирующего излучения на микросхемы.................

Глава 5

Влияние облучения на МДП-транзисторы как элементы интегральных микросхем.....

§5.1. Образование центров захвата в МДП-структурах при воздействии на них радиации.............

§ 5.2. Накопление заряда в МДП-структурах и изменение их характеристик................

§ 5.3. Изменение параметров МДП-транзисторов при их облучении § 5.4. Влияние условий облучения на радиационную стойкость МДП-транзисторов...............

§ 5.5. Восстановление характеристик МДП-приборов после облучения

Глава 6

Влияние ионизирующей радиации на МДП интегральные микросхемы........

§ 6.1. Изменение параметров логических МДП интегральных микросхем при воздействии на них радиации........

§ 6.2. Воздействие облучения на аналоговые МДП интегральные микросхемы..............

§ 6.3. Влияние импульсной радиации на МДП интегральные микросхемы.................

§ 6.4. Радиационные эффекты р приборах с зарядовой связью.

Глава 7

Прогнозирование и повышение радиационной стойкости интегральных микросхем.....

§7.1. Прогнозирование радиационной стойкости интегральных микросхем.................

§ 7.2. Общие принципы повышения радиационной стойкости микросхем на биполярных транзисторах.........

§ 7.3. Повышение радиационной стойкости биполярных интегральных

микросхем к обратимым ионизационным эффектам.....

§ 7.4. Повышение устойчивости биполярных интегральных микросхем

к необратимым радиационным нарушениям.......

§ 7.5. Конструктивно-технологические методы повышения радиационной стойкости МДП интегральных микросхем......

§ 7.6. Конструктивно-схемотехнические методы снижения радиационной чувствительности МДП интегральных микросхем....

Глава 8

Применение проникающих излучений в технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем...........

§ 8.1. Ядерное легирование полупроводников......

§ 8.2. Влияние облучения на диффузию в полупроводниках § 8.3. Увеличение быстродействия и корректирование параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем § 8.4. Контроль качества технологических процессов, литография

Заключение.................

Литература................

Предметный указатель.............

 
© URSS 2016.

Информация о Продавце