URSS.ru - Издательская группа URSS. Научная и учебная литература
Об издательстве Интернет-магазин Контакты Оптовикам и библиотекам Вакансии Пишите нам
КНИГИ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ


 
Вернуться в: Каталог  
Обложка Мулярчик С.Г. Численное моделирование микроэлектронных структур
Id: 103887
 

Численное моделирование микроэлектронных структур

1989. 368 с. Твердый переплет. ISBN 5-7855-0045-0. Букинист. Состояние: 4+. Есть погашенная библиотечная печать.
Обращаем Ваше внимание, что книги с пометкой "Предварительный заказ!" невозможно купить сразу. Если такие книги содержатся в Вашем заказе, их цена и стоимость доставки не учитываются в общей стоимости заказа. В течение 1-3 дней по электронной почте или СМС мы уточним наличие этих книг или отсутствие возможности их приобретения и сообщим окончательную стоимость заказа.

 Аннотация

Монография посвящена вопросам постановки, методам и алгоритмам решения задачи численного моделирования микроэлектронных структур. Содержит обобщающее введение в проблему получения математических моделей полупроводниковых структур, берущую свое начало в закономерностях электромагнитных процессов, выраженных уравнениями Максвелла. Главное внимание уделяется аспектам автоматизации численного моделирования, созданию вычислительного инструментария проверки модельных технолого-конструктивных решений. Результаты теоретических исследований иллюстрируются большим количеством примеров и рисунков.

Адресуется специалистам в области автоматизации проектирования в микроэлектронике, инженерам-разработчикам полупроводниковых приборов и интегральных схем. Может быть полезной студентам и аспирантам, специализирующимся в области микроэлектроники и автоматизации проектирования.


 ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие............ 3

Глава 1. Основные уравнения теории полупроводниковых

приборов............. 9

1.1. Уравнения электромагнитного поля...... 9

1.2. Интегральная форма.......... 17

1.3. Квазистационарное приближение...... 21

Глава 2. Описание полупроводниковых сред.... 25

2.1. Концентрации дырок и электронов...... 25

2.2. Плотности тока........... 33

2.3. Дрейфовая подвижность......... 39

2.4. Ток в сильно легированных полупроводниках... 49

2.5. Рекомбинация носителей заряда...... 62

2.6. Границы полупроводниковых сред...... 72

Глава 3. Двумерное моделирование стационарных процессов............... 76

3.1. Математические модели микроэлектронных структур. 77

3.1.1. Модели в смешанном базисе........ 79

3.1.2. Особенности математических моделей гибридного набора основных переменных......... 87

3.1.3. Переход в однородный базис....... 83

3.1.4. Общая характеристика смешанного, гибридного и однородного наборов переменных....... 90

3.2. Алгебраизация уравнений........ 91

3.2.1. Выбор метода аппроксимации....... 91

3.2.2. Разностная сетка........... 96

3.2.3. Дискретное уравнение Пуассона...... 100

3.2.4. Дискретные уравнения непрерывности..... 109

3.3. Решение нелинейной алгебраизованной задачи.. 127

3.3.1. Алгоритмы последовательного типа...... 128

3.3.2. Свойства порождаемых линейных систем.... 146

3.3.3. Расчет начального приближения...... 162

3.3.4. Квазигуммелевские алгоритмы....... 171

Глава 4. Методы решения линейных систем.... 183

4.1. Методы сопряженных направлений...... 183

4.2. Неполная факторизация симметрических матриц.. 191

4.2.1. Полное разложение.......... 192

4.2.2. Неполные факторизации........ 193

4.2.3. Модифицированные неполные факторизации... 204

4.2.4. Блочная факторизация......... 210

4.2.5. Неполные блочные разложения....... 212

4.3. Метод сопряженных направлений с неполной факторизацией.............. 224

4.3.1. Вопросы реализации.......... 224

4.3.2. Численное исследование......... 237

4.4. Неполная факторизация произвольных матриц.. 248

4.4.1. Полное разложение.......... 248

4.4.2. Неполная факторизация и ее устойчивость... 250

4.5. Адаптация методов сопряженных направлений к системам с несимметрическими матрицами..... 254

4.5.1. Симметризация уравнений........ 254

4.5.2. Численное исследование......... 259

Глава 5. Автоматизация моделирования...... 261

5.1. Формирование линейных систем....... 261

5.1.1. Распределенное описание структуры и способ идентификации ее областей.......... 261

5.1.2. Способы формирования линейных систем.... 264

5.1.3. Аспекты реализации.......... 269

5.2. Вычислительные модели квадрантов..... 273

5.2.1. Модели, порождаемые уравнением Пуассона... 273

5.2.2. Модели уравнений непрерывности смешанного базиса 276

5.2.3. Модели уравнений непрерывности однородного и гибридного наборов переменных........ 283

5.3. Построение сетки и профиля легирования.... 287

Глава 6. Обработка результатов вычислительных экспериментов.............. 292

6.1. Расчет токов............ 293

6.2. Расчет параметров электрических моделей.... 301

Глава 7. Комплекс программ двумерного численного моделирования............. 310

7.1. Организация комплекса......... 311

7.2. Входной язык............ 316

7.3. Алгоритмы трансляции......... 327

7.4. Примеры применения KFSM........ 334

 
© URSS 2016.

Информация о Продавце